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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
1
作者
王明宇
汤玉生
管慧
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期158-163,共6页
电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
关键词
电阻耦合型
神经MOS晶体管
差分四象限模拟乘法器
场效应
栅电压值
金属-氧化物-半导体晶体管
下载PDF
职称材料
题名
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
1
作者
王明宇
汤玉生
管慧
机构
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期158-163,共6页
文摘
电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
关键词
电阻耦合型
神经MOS晶体管
差分四象限模拟乘法器
场效应
栅电压值
金属-氧化物-半导体晶体管
Keywords
the resistance coupling neuron MOS transistor
the capacitance coupling neuron MOS transistor
the difference four quadrant analogue multiplier
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
王明宇
汤玉生
管慧
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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