热蒸发法制备Sb_2Se_3薄膜及后退火温度对其性能的影响

采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb_2Se_3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右。探索了不同退火温度对Sb_2Se_3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb_2Se_3/AL结构的电池,效率为0.047%.

ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。

纳米Mg/PP复合材料的制备及结构研究

分别采用高能球磨法和电阻加热蒸发法制备了纳米Mg ,并对其物相及结构进行了表征。再将经活化处理的纳米Mg与PP熔融共混制得复合材料 ,并测试其力学性能。结果表明 :在一定用量范围内 ,蒸发法制备的纳米Mg能大大提高复合材料的韧性 ,由脆性断裂转变为韧性断裂 ;同时能保持复合材料原有的强度。