Ti-49.6Ni合金在拉压对称循环载荷下的电阻-温度曲线

用电阻法测量了固溶后Ｔｉ－４９．６Ｎｉ形状记忆合金的相变行为，马氏体逆相变具有明显的相变 温度点；在降温过程中没有发生Ｒ相变 在该热处理制度下材料疲劳后，在升温过程中没有明显的逆相变 温度点；在降温过程中出现Ｒ相变，电阻－温度曲线特征发生明显规律性变化．提出一种解释这一现象 的微观机制．

二氧化锡薄膜气敏传感器对常见室内污染气体的电阻-温度特性及机理分析

采用无机试剂 (SnCl2 ·2H2 O)为原料 ,用溶胶 凝胶提拉法制备了二氧化锡薄膜及相应的气敏传感器 ,并研究了二氧化锡薄膜气敏传感器在常见室内污染气体气氛中的电阻 - 温度变化关系。结果发现不同气氛下电阻 温度特性各不相同 ,由此可以获得被测气体的相关信息。本文还用分子轨道计算软件对四种室内污染气体的分子轨道进行了计算 ,并根据分子轨道能级的相对位置定性解释了二氧化锡薄膜气敏传感器在不同气氛中的电阻 温度曲线。通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯四种气体电阻 温度曲线的测试可以确定被测气体的种类。

电流加热伏安法测量石墨基柔性接地体的电阻-温度特性

研究石墨基柔性材料电阻温度特性和热稳定性。采用电流加热与恒温保护配合的方法,利用伏安法分别测量各温度下接地体的电阻,推导出平均电阻温度系数;运用实验得到的接地体电阻温度特性参数,迭代计算出石墨基柔性接地体在工频接地故障电流和雷电冲击电流下的最大温升,结合热稳定系数的计算给予验证。实验结果表明:石墨基柔性接地体具有负的温度系数。在石墨基柔性接地体的最高允许使用温度为450℃时,0.5 s工频电流下的最大允许的电流约为1.4 kA;在8/20μs高频雷电流冲击下,石墨基柔性接地体的最高允许通过电流为287.9 kA。

ZnO-NiO-TiO_2系统PTC陶瓷的结构与性能

采用传统固相法制备了xZnO-(0.95-x)NiO-0.05 TiO2(0.6≤x≤0.85)系统PTC陶瓷,通过密度、XRD、电阻-温度曲线、SEM等测试方法对陶瓷样品的结构与PTC性能进行了研究,结果表明:ZnO-NiO-TiO2系统PTC陶瓷的最佳烧结温度为1340℃,烧成后陶瓷的主晶相为ZnO、NiO和ZnTiO3;电阻-温度曲线显示该系统组成的陶瓷具有明显的PTC效应,且x=0.65时PTC电阻突跳最高,此时具有较高的突跳温度(>500℃)、较低的室温电阻率(<103Ω·cm)。

核电厂反应堆冷却剂系统旁路温度高精度测量方法研究

为了提高核电厂反应堆冷却剂系统旁路温度的测量精度,建立了铂电阻温度计的温度-电阻特性曲线拟合模型和电阻-温度特性曲线模型,采用递推最小二乘法对样本数据进行拟合以确定特性曲线的模型参数。该方法根据铂电阻温度计的测量电阻值即可高精度计算出相应的温度。仿真结果表明,与现有方法相比,温度测量精度有明显提高,在温度检测领域具有重要的理论和应用价值。

ZnO缓冲层对W掺杂VO_2薄膜光电性能的影响

用磁控溅射法在载玻片基底上分别制备W-VO2单层薄膜与ZnO/W-VO2双层薄膜,并在Ar气氛中进行退火。用X射线衍射仪、LCR测试仪、扫描电镜、紫外-可见分光光度计和红外光谱仪对薄膜样品的晶体结构、电阻-温度特性、表面形貌、可见光透过率和红外光透过率进行测试。结果表明:ZnO/W-VO2双层薄膜的相变温度降低至35℃,薄膜生长更加致密均匀,可见光透过率提高约23%,对红外光的屏蔽效果更优。

Mn掺杂的Na_xCoO_2多晶制备与电输运性质研究

采用固相反应法制备了沿(00l)面高度择优取向的γ相NaxCoO2(x=0.5+δ,0.7)和Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2系列多晶,且微量Mn掺杂阻碍了晶粒的长大。77～300K电阻率-温度曲线表明,NaxCoO2为金属的电输运行为,在相同烧结工艺下,Mn掺杂导致Na0.5+δCo0.95Mn0.05O2电阻率有很大提高且为绝缘体行为,但经920℃/10h进一步烧结后,转变为电阻率大大降低的金属行为。分析认为,Mn4+的3d轨道交叠能带e′g+a1g的电子数比Co3.5+少,使得载流子数量降低;并且Mn4+的t2g轨道的电子最高占据能级比Co3.5+低,使电子在Mn4+和Co3+/Co4+之间跃迁时存在能隙,从而电子跃迁几率降低,载流子局域化。晶界增多导致的晶界散射,也增加了电阻率。

双层Mo薄膜的制备工艺与性能

利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试。结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求。