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化学镀铜催化新工艺
1
作者
刘玉波
陈长生
《印制电路信息》
1996年第10期29-33,共5页
本文概述了一种新型催化剂,该催化剂为一贵金属离子与溴离子反应生成。其比例(溴/贵金属)应为400/1—1000/1,并且贵金属的浓度要足以催化化学镀铜反应;在化学镀铜之前或化学镀铜过程中将贵金属还原成催化形态。
关键词
贵金属卤族化合物
界限基因
转化层
催化剂
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职称材料
题名
化学镀铜催化新工艺
1
作者
刘玉波
陈长生
机构
电子部十五所PCB中心
出处
《印制电路信息》
1996年第10期29-33,共5页
文摘
本文概述了一种新型催化剂,该催化剂为一贵金属离子与溴离子反应生成。其比例(溴/贵金属)应为400/1—1000/1,并且贵金属的浓度要足以催化化学镀铜反应;在化学镀铜之前或化学镀铜过程中将贵金属还原成催化形态。
关键词
贵金属卤族化合物
界限基因
转化层
催化剂
分类号
TQ153 [化学工程—电化学工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
化学镀铜催化新工艺
刘玉波
陈长生
《印制电路信息》
1996
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