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K465镍基高温合金电子束钎焊润湿性及界面产物 被引量:8
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作者 王刚 张秉刚 +2 位作者 冯吉才 何景山 马一兵 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期49-52,56,共5页
采用两种钎料对镍基高温合金进行了真空电子束钎焊润湿性试验,探讨了真空电子束钎焊主要工艺参数对钎料铺展润湿性的影响,指出电子束钎焊时束流是钎料润湿铺展的最大影响因素,并给出了钎料润湿性评定及选取。在确定优选钎料的基础上,进... 采用两种钎料对镍基高温合金进行了真空电子束钎焊润湿性试验,探讨了真空电子束钎焊主要工艺参数对钎料铺展润湿性的影响,指出电子束钎焊时束流是钎料润湿铺展的最大影响因素,并给出了钎料润湿性评定及选取。在确定优选钎料的基础上,进行了电子束钎焊搭接连接,并借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射分析(XRD)等方法研究了界面结构,确定了界面反应产物及其形态分布。结果表明,在界面反应层中生成五种产物:大量的镍基γ固溶体和(γ′+γ)共晶相,大量的富含W元素的Ni3B和CrB相,以及少量的NbC相;化合物相以细小的块状弥散分布在镍基固溶体中。 展开更多
关键词 电子束 钎焊 润湿性 界面产物
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CuNiSnTi钎料钎焊立方氮化硼界面产物分析
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作者 王毅 阮野 +1 位作者 董文 雷凯 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期71-74,116-117,共4页
采用扫描电镜、能谱仪、微区X射线衍射仪研究了Cu Ni Sn Ti活性钎料钎焊立方氮化硼(c-BN)界面产物的微观结构和形成机理,并运用动力学分析了界面反应产物的生长过程及反应激活能.结果表明,钎焊过程中CuNi Sn Ti钎料对c-BN具有良好的... 采用扫描电镜、能谱仪、微区X射线衍射仪研究了Cu Ni Sn Ti活性钎料钎焊立方氮化硼(c-BN)界面产物的微观结构和形成机理,并运用动力学分析了界面反应产物的生长过程及反应激活能.结果表明,钎焊过程中CuNi Sn Ti钎料对c-BN具有良好的润湿性,钎料与c-BN发生化学反应,实现c-BN与钢基体的可靠连接;钎料与c-BN界面处生成Ti-N和Ti-B化合物新相,形成了钎料/Ti N/Ti B/Ti B2/c-BN的结构形式;在钎焊温度1 323∽1 398 K,保温时间5∽20 min之间依据抛物线生长法则指出界面处产生的化学反应和原子间的相互扩散是促使界面反应层形成与生长的主要因素及形成机理. 展开更多
关键词 CuNiSnTi钎料 钎焊 立方氮化硼 界面产物
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镍基高温合金电子束钎焊润湿性及界面产物
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作者 王刚 何景山 +1 位作者 张秉刚 冯吉才 《航空制造技术》 2007年第z1期223-226,共4页
采用两种钎料对镍基高温合金进行了真空电子束钎焊润湿性试验,探讨了真空电子束钎焊主要工艺参数对钎料铺展润湿性的影响.在确定优选钎料的基础上,进行了电子束钎焊搭接试验,研究了界面结构,确定了界面反应产物及其形态分布.
关键词 电子束 钎焊 润湿性 界面产物
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直接敷铜Al_2O_3陶瓷基板的界面产物研究 被引量:2
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作者 方志远 陈虎 周和平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期935-938,共4页
直接敷铜Al2O3基板已被广泛应用于大功率场合.本文通过Cu箔表面预氧化生成Cu2O的方法引入氧,1070℃在Cu箱和Al2O3基板界面上所产生的Cu-Cu2O共晶液体促进了二者的牢固结合.流动氮气氛下保温1h,观察... 直接敷铜Al2O3基板已被广泛应用于大功率场合.本文通过Cu箔表面预氧化生成Cu2O的方法引入氧,1070℃在Cu箱和Al2O3基板界面上所产生的Cu-Cu2O共晶液体促进了二者的牢固结合.流动氮气氛下保温1h,观察到了明显的界面产物层.SEM和XRD的分析表明,界面产物相为CuAlO2. 展开更多
关键词 直接敷铜法 预氧法 界面产物 氧化铝陶瓷 基板
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SiC/Ti6Al4V复合材料界面反应产物的形成序列及扩散路径(英文) 被引量:4
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作者 吕祥鸿 杨延清 +3 位作者 马志军 黄斌 罗贤 陈彦 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1162-1168,共7页
通过 SiC/Ti6Al4V 钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验,利用 SEM, EDS 及 XRD 分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径。结果表明:反应元素如 C,Ti,Si 在界面反应层中出现浓度波动,合金元素 Al 并没... 通过 SiC/Ti6Al4V 钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验,利用 SEM, EDS 及 XRD 分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径。结果表明:反应元素如 C,Ti,Si 在界面反应层中出现浓度波动,合金元素 Al 并没有显著扩散进入界面反应产物层,而是在界面反应前沿堆积,其界面反应产物被确认为 Ti3SiC2 ,TiCx, Ti5Si3Cx和Ti3Si;在界面反应初期,存在着 TiC+Ti5Si3Cx 双相区,当形成各界面反应产物单相区时,SiC/Ti6Al4V 复合材料界面反应扩散的完整路径应为: SiC ┃ Ti3SiC2 ┃ Ti5Si3Cx ┃ TiCx ┃ Ti3Si ┃ Ti6Al4V+TiCx;界面反应产物层的生长受扩散控制,遵循抛物线生长规律,其生长激活能 Qk及 k0分别为 290.935 kJ·mol-1,2.49×10-2 m·s-1/2。 展开更多
关键词 SiC/Ti6Al4V 界面反应产物 扩散路径 生长激活能
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镍基高温合金电子束钎焊接头界面组织及力学性能 被引量:6
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作者 王刚 张秉刚 +3 位作者 何景山 冯吉才 姜维明 吴英杰 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期89-92,共4页
采用Bпp27钎料实现了K465镍基高温合金的真空电子束钎焊。分析了不同工艺参数对接头抗剪强度的影响,借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和相图分析等方法研究了界面结构,确定了界面反应产物及其形态分布。结果表明,在界面反应层中生成... 采用Bпp27钎料实现了K465镍基高温合金的真空电子束钎焊。分析了不同工艺参数对接头抗剪强度的影响,借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和相图分析等方法研究了界面结构,确定了界面反应产物及其形态分布。结果表明,在界面反应层中生成五种产物:大量的镍基γ固溶体和(γ′+γ)共晶相,大量的富含钨的Ni3B和CrB相,以及少量的NbC相;化合物相以细小的块状弥散分布在镍基固溶体中。随着束流和加热时间的增加,接头抗剪强度呈现先升高再降低的趋势。当束流为2.6 mA,加热时间为560 s,聚焦电流为1 800 mA时,获得最大抗剪强度为436 MPa的钎焊接头。 展开更多
关键词 电子束 钎焊 界面产物 抗剪强度
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电子束钎焊修复K465镍基高温合金叶片 被引量:5
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作者 王刚 陈国庆 +2 位作者 张秉刚 冯吉才 刘成来 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期85-88,共4页
采用自制镍基钎料进行了K465镍基高温合金叶片模拟件的真空电子束钎焊,研究了开贯通槽(磨掉全部裂纹)和开非贯通槽(磨掉80%~90%裂纹)的两种开槽方式对叶片模拟件接头产生裂纹的影响,分析发现开贯通槽试件很少产生裂纹而开非贯通槽试件... 采用自制镍基钎料进行了K465镍基高温合金叶片模拟件的真空电子束钎焊,研究了开贯通槽(磨掉全部裂纹)和开非贯通槽(磨掉80%~90%裂纹)的两种开槽方式对叶片模拟件接头产生裂纹的影响,分析发现开贯通槽试件很少产生裂纹而开非贯通槽试件都产生裂纹.借助扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射分析(XRD)等方法分析了接头界面结构,确定了界面反应产物及其形态分布.结果表明,在界面反应层中生成镍基γ固溶体,NiSi,NiB,NiAl和NiSi五种产物. 展开更多
关键词 电子束钎焊 镍基高温合金 叶片 界面产物
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SiC陶瓷与金属连接 被引量:7
8
作者 吴铭方 杨敏 +1 位作者 于治水 程晓农 《华东船舶工业学院学报》 1999年第5期54-57,共4页
综述了SiC 陶瓷/ 金属的连接方法、活性金属的使用现状、界面产物及确定方法,指出了扩散焊和活性金属钎焊是实现SiC 陶瓷/ 金属连接的最有效方法,分析了界面产物对强度的影响,得出接头强度取决于界面产物的种类、数量、分布... 综述了SiC 陶瓷/ 金属的连接方法、活性金属的使用现状、界面产物及确定方法,指出了扩散焊和活性金属钎焊是实现SiC 陶瓷/ 金属连接的最有效方法,分析了界面产物对强度的影响,得出接头强度取决于界面产物的种类、数量、分布等,特别是当界面产生层状脆性化合物时强度显著下降的结论。 展开更多
关键词 陶瓷 金属 SIC陶瓷 界面产物 扩散焊 钎焊
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稀土氧化物La_(1-x)M_xNiO_3(M=Ca,Sr,Mg)电输运性能研究
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作者 赵倩 丁铁柱 +2 位作者 朱志强 孔伟 赵芯舫 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S2期66-69,共4页
用固相反应法合成了固体氧化物燃料电池阴极材料La1-xMxNiO3(M=Ca,Sr,Mg)。分析了界面产物的物相结构,测试了界面产物在不同温度下的直流电导率和不同温度不同频率下的交流电导率,给出了不同掺杂阴极样品的载流子的活化能,研究了界面产... 用固相反应法合成了固体氧化物燃料电池阴极材料La1-xMxNiO3(M=Ca,Sr,Mg)。分析了界面产物的物相结构,测试了界面产物在不同温度下的直流电导率和不同温度不同频率下的交流电导率,给出了不同掺杂阴极样品的载流子的活化能,研究了界面产物对电输运性能的影响。结果表明,阴极样品LCNO-64活化能最小,电导率最大,载流子呈现P型导电特性,电输运性能符合小极化子导电机制,电导率贡献部分主要是晶界。 展开更多
关键词 稀土氧化物 界面产物 直流电导率 交流电导率
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Cu基板粗糙度对SnAgCu无铅钎料润湿性的影响 被引量:4
10
作者 张知航 杨健 +2 位作者 杨震 黄继华 陈树海 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期22-28,I0004,共8页
在微电子封装软钎焊领域,钎料的润湿性直接决定焊接接头的性能.文中以不加入外来元素为前提,以SAC305/Cu钎焊体系为研究对象,完成了SAC305钎料在不同粗糙度Cu基板上的润湿铺展试验,研究了Cu基板粗糙度对SnAgCu钎料润湿性及SnAgCu/Cu界... 在微电子封装软钎焊领域,钎料的润湿性直接决定焊接接头的性能.文中以不加入外来元素为前提,以SAC305/Cu钎焊体系为研究对象,完成了SAC305钎料在不同粗糙度Cu基板上的润湿铺展试验,研究了Cu基板粗糙度对SnAgCu钎料润湿性及SnAgCu/Cu界面化合物形貌与分布的影响.结果表明,SnAgCu钎料在Cu基板上的润湿角随着基板粗糙度的减小而增大,而当基板粗糙度降低到一定的程度后,润湿角不再随基板粗糙度的变化而改变.SnAgCu钎料与Cu基板之间反应生成金属间化合物Cu_(6)Sn_(5),Cu_(6)Sn_(5)垂直于基体表面呈扇贝状从基体向钎料方向生长,Cu_(6)Sn_(5)层的厚度会随着粗糙度的降低呈现先上升后下降的趋势,且Cu_(6)Sn_(5)层会与基体和钎料层发生互扩散现象. 展开更多
关键词 润湿性 粗糙度 SnAgCu无铅钎料 界面产物
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ZrB_2基陶瓷/Ti-6Al-4V合金钎焊接头形成机理与反应层生长规律 被引量:3
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作者 刘亚萍 王刚 +2 位作者 王微 徐海涛 朱冬冬 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期65-69,共5页
采用TiCuZrNi非晶活性钎料对ZrB_2-SiC超高温陶瓷和Ti-6Al-4V合金在880℃钎焊温度下进行钎焊,通过扫描电子显微镜、能谱分析仪和X射线衍射仪对焊接接头界面的反应产物进行系统分析,结合加热、保温和冷却3个阶段深入分析接头形成的机制... 采用TiCuZrNi非晶活性钎料对ZrB_2-SiC超高温陶瓷和Ti-6Al-4V合金在880℃钎焊温度下进行钎焊,通过扫描电子显微镜、能谱分析仪和X射线衍射仪对焊接接头界面的反应产物进行系统分析,结合加热、保温和冷却3个阶段深入分析接头形成的机制。结果表明:界面反应产物为β-Ti、(Ti,Zr)_2(Cu,Ni)、TiCu、Ti_2Cu、TiC、Ti5Si3、Ti B和Ti B2。基于扩散理论,建立陶瓷侧反应层生长规律的表达式。 展开更多
关键词 ZrB2-SiC超高温陶瓷 TI-6AL-4V合金 钎焊 界面产物
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低温反应自熔法制备镁基复合材料的新工艺 被引量:3
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作者 曹利强 柴东朗 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期20-22,共3页
为克服粉末冶金法 (PM)和铸造法 (Casting)在制备镁基复合材料过程中的缺点 ,尝试采用低温反应自熔 (RSM)新工艺制备颗粒增强镁基复合材料。经低温反应自熔制备的颗粒增强镁基复合材料 ,在一定程度上消除了粉体颗粒的氧化膜 ,减小了对... 为克服粉末冶金法 (PM)和铸造法 (Casting)在制备镁基复合材料过程中的缺点 ,尝试采用低温反应自熔 (RSM)新工艺制备颗粒增强镁基复合材料。经低温反应自熔制备的颗粒增强镁基复合材料 ,在一定程度上消除了粉体颗粒的氧化膜 ,减小了对合金元素扩散的阻碍作用 ,使颗粒间的结合得到改善 ;SEM断口观察及X射线衍射物相分析表明 ,基体与增强体界面处有轻微的反应存在 ,反应产物为MgTiO3,推测为MgO Ti、Mg TiO2 或MgO TiO2 的反应所生成。 展开更多
关键词 低温反应自熔(RSM) 镁基复合材料 界面反应产物
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焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板低温活性焊接机理
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作者 成兰仙 李国元 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期67-72,共6页
采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO_2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面... 采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO_2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面由Ti Si和Ti O_2形成.理论分析与实验结果一致表明:Ti元素在SiO_2基板表面的化学吸附可能是实现焊接润湿的主要原因,在焊接的初始阶段发挥重要的作用;Ti与SiO_2之间的界面反应并形成界面产物是实现Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板焊接的主要机理. 展开更多
关键词 低温 活性焊接 界面产物 活性元素
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制备新一代高导热金刚石/铝复合材料的研究进展 被引量:3
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作者 方俊晓 董应虎 +3 位作者 张瑞卿 钟永录 孙文 王昆昆 《热加工工艺》 北大核心 2020年第22期8-11,共4页
由于金刚石(Diamond)和铝的表面润湿性较差,界面热阻成为了Diamond/Al复合材料热导率远小于理论值的主要影响因素。对两相界面优化研究和界面反应产物的研究进行了概述,分析总结了无压熔渗法制备高导热Diamond/Al复合材料存在的问题、... 由于金刚石(Diamond)和铝的表面润湿性较差,界面热阻成为了Diamond/Al复合材料热导率远小于理论值的主要影响因素。对两相界面优化研究和界面反应产物的研究进行了概述,分析总结了无压熔渗法制备高导热Diamond/Al复合材料存在的问题、未来的研究重点和发展前景,以期为制备性能稳定、高导热、低膨胀系数的Diamond/Al复合材料提供参考。 展开更多
关键词 Diamond/Al复合材料 界面热阻 界面优化 界面反应产物 高导热
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Tuning the intermediate reaction barriers by a CuPd catalyst to improve the selectivity of CO_(2) electroreduction to C_(2) products 被引量:4
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作者 Li Zhu Yiyang Lin +8 位作者 ang Liu Emiliano Cortés Hongmei Li Junhua Hu Akira Yamaguchi Xiaoliang Liu Masahiro Miyauchi Junwei Fu Min Liu 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第9期1500-1508,共9页
Electrochemical CO2 reduction is a promising strategy for the utilization of CO2 and intermittent excess electricity.Cu is the only single metal catalyst that can electrochemically convert CO2 into multicarbon product... Electrochemical CO2 reduction is a promising strategy for the utilization of CO2 and intermittent excess electricity.Cu is the only single metal catalyst that can electrochemically convert CO2 into multicarbon products.However,Cu exhibits an unfavorable activity and selectivity for the generation of C2 products because of the insufficient amount of CO*provided for the C‐C coupling.Based on the strong CO2 adsorption and ultrafast reaction kinetics of CO*formation on Pd,an intimate CuPd(100)interface was designed to lower the intermediate reaction barriers and improve the efficiency of C2 product formation.Density functional theory(DFT)calculations showed that the CuPd(100)interface enhanced the CO2 adsorption and decreased the CO2*hydrogenation energy barrier,which was beneficial for the C‐C coupling.The potential‐determining step(PDS)barrier of CO2 to C2 products on the CuPd(100)interface was 0.61 eV,which was lower than that on Cu(100)(0.72 eV).Encouraged by the DFT calculation results,the CuPd(100)interface catalyst was prepared by a facile chemical solution method and characterized by transmission electron microscopy.CO2 temperature‐programmed desorption and gas sensor experiments further confirmed the enhancement of the CO2 adsorption and CO2*hydrogenation ability of the CuPd(100)interface catalyst.Specifically,the obtained CuPd(100)interface catalyst exhibited a C2 Faradaic efficiency of 50.3%±1.2%at‒1.4 VRHE in 0.1 M KHCO3,which was 2.1 times higher than that of the Cu catalyst(23.6%±1.5%).This study provides the basis for the rational design of Cu‐based electrocatalysts for the generation of multicarbon products by fine‐tuning the intermediate reaction barriers. 展开更多
关键词 Carbon dioxide reduction C2 products ELECTROCATALYST Copper‐palladium interface Intermediate reaction barriers
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界面活性元素对低碳钢连铸过程水口结瘤的影响 被引量:5
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作者 谢利奎 王睿 +3 位作者 闫志杰 康燕 于志强 李怡宏 《中国冶金》 CAS 北大核心 2022年第3期17-26,共10页
水口结瘤问题是低碳钢、超低碳钢连铸过程中亟需解决的关键问题之一,其直接影响铸坯质量及生产过程顺行。从水口结瘤机理的角度出发,介绍了界面活性元素的基本含义及当前的研究方向,总结了常见的界面活性元素,并比较了连铸中界面活性元... 水口结瘤问题是低碳钢、超低碳钢连铸过程中亟需解决的关键问题之一,其直接影响铸坯质量及生产过程顺行。从水口结瘤机理的角度出发,介绍了界面活性元素的基本含义及当前的研究方向,总结了常见的界面活性元素,并比较了连铸中界面活性元素对两相间润湿性及夹杂物形态、尺寸、分布的影响,分析了界面活性元素对水口结瘤的影响机制,对预测实际生产中钢液的不同活性元素对润湿性、夹杂物及结瘤产物的交互影响有一定的指导意义。结合本团队的研究,展望了界面活性元素未来的研究方向。 展开更多
关键词 界面活性元素 润湿性 夹杂物 界面产物 水口结瘤
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SiC_(f)/TiAl复合材料界面反应及热稳定性
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作者 沈莹莹 张国兴 +3 位作者 贾清 王玉敏 崔玉友 杨锐 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1150-1158,共9页
采用真空吸铸法制备了SiC_(f)/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定。结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成。对复合材料... 采用真空吸铸法制备了SiC_(f)/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定。结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成。对复合材料进行800℃热暴露实验,结果显示,界面反应层随热暴露时间的延长而增长,且在长大过程中出现了分层现象。根据热暴露后反应层厚度随时间的变化规律,绘制出800℃界面反应的动力学曲线,并推测出界面生长速率。热暴露200 h后的界面反应产物共有4层,从纤维一侧到基体一侧分别是细晶TiC层、粗晶TiC层、(Ti,Zr)_(5)Si_(4)层和Ti_(3)Sn+Ti_(2)AlC层。分别对制备态和热暴露态的SiC_(f)/TiAl复合材料界面反应产物的形成机理进行了分析,得出热暴露过程中界面分层出现的主要原因是Ti_(2)AlC新相的生成消耗了部分TiC相。 展开更多
关键词 SiC_(f)/TiAl复合材料 真空吸铸 界面反应层产物 元素扩散
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电气和电子工程用材料科学
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《中国无线电电子学文摘》 1996年第4期2-6,共5页
关键词 真空蒸镀 真空电弧沉积 材料科学 界面反应动力学 界面扩散反应 真空弧沉积 太阳能电池 非晶硅薄膜 界面反应产物 ITO薄膜
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