倒置有机发光二极管中电子注入的研究及发展

在文化和科技迅速发展的时代,信息显示广泛应用于社会生活的各个领域.在众多新型显示技术中,有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)凭借高对比、广视角、高显色等优势成为新一代显示技术.多样的有机材料、简单的器件结构和制备技术给予它更多的发展可能.其中,倒置结构的OLEDs(inverted organic lightemitting diodes,iOLEDs)因与基于n型薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs)的驱动电路具有更好的兼容性而备受关注.然而,iOLEDs器件中氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)阴极与有机发光层的最低未占据分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)之间存在较大能级差,较低的电子注入效率严重限制了器件性能.针对这一问题,本文综述了提升iOLEDs电子注入效率的研究进展,主要围绕Richardson-Schottky(RS)热注入和Fowler-Nordheim(FN)量子隧穿两种电子注入模型展开讨论.