三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模

运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系。结果表明:与二元晶体量子阱线和三元混晶单量子线不同,在GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe量子阱线中分别存在十支和八支表面和界面光学声子模,这些表面和界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来。

三元混晶矩形量子阱线的界面光学声子模

运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线系统的界面光学声子模.以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了界面光学声子模的色散关系以及界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子阱线系统和三元混晶单量子线不同,在三元混晶量子阱线系统中存在六支界面光学声子模,这六支界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化而呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.

三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响

在宏观介电连续近似下,采用转移距阵方法,研究了三元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响.在这种有限超晶格结构中,可以清楚地看到所有界面模的演化轨迹.结果表明:存在两类局域模,它们的宏观静电势波函数分别局域在缺陷层和表面层附近,且这些模随着超晶格组分层和缺陷层的相对厚度和介电常数的改变,其局域位置和特性发生显著变化.此外,发现虽然能隙中局域模的数目不守恒,但所有界面模的总数守恒.