基于氧化硅绝缘层改性的PMMA复合薄膜储能性能研究

聚合物电介质因具有击穿电压高、柔性好、成本低、加工容易和质量轻等优点而备受青睐,其在电气工程领域具有广泛的应用。该文以聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)作为基体,二氧化硅(SiO_(2))作为绝缘层,综合利用溶液流延法和磁控溅射技术,成功制备了具有三明治结构的SiO_(2)/PMMA/SiO_(2)复合薄膜。在PMMA薄膜与金属电极之间引入宽禁带SiO_(2)薄层作为界面势垒层,能够抑制电极电荷注入,提升击穿强度;通过改变磁控溅射时间来调控SiO_(2)绝缘层生长厚度,系统研究SiO_(2)薄层厚度对复合薄膜的微观结构和介电性能的影响。研究表明,当磁控溅射工作时间为2h,SiO_(2)薄层厚度约为240nm,此时SiO_(2)/PMMA/SiO_(2)复合薄膜展现出优异的储能性能,最大放电能量密度为14.5J/cm;,是纯PMMA薄膜的1.42倍,充放电效率为87.4%。