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立方氮化硼单晶生长界面层的精细结构 被引量:2
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作者 许斌 张文 +2 位作者 郭晓斐 吕美哲 苏海通 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期879-884,共6页
以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被... 以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被合成后的触媒粉末所包裹,界面层中B、N元素相对比例基本保持不变,且随着距离cBN单晶越来越近,B、N元素的sp2杂化态逐渐减少,sp3杂化态逐渐增多,这说明hBN含量逐渐减少,而cBN含量逐渐增多。由于Li元素非常活泼,在高温高压体系中的电子结构极不稳定,故可以作为电子转移的桥梁,完成电子由N向B的转移。据此认为在cBN单晶生长界面层中,B、N元素的sp2杂化态逐渐转变成了sp3杂化态。以上结果说明hBN在触媒催化作用下可直接转变为cBN。 展开更多
关键词 高温高压 CBN 生长界面 精细结构
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热压工艺对SiC_(f)/Ti复合材料界面反应层生长影响的数值模拟
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作者 唐洪武 张晓敏 +1 位作者 赵志鹏 张恒嘉 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期232-241,共10页
提出一个热-力-扩散-反应强耦合相场模型来研究热压烧结制备工艺对连续碳化硅纤维增强钛基复合材料中金属间化合物生长规律的影响。模拟结果表明,在两种不同温度下各个界面反应层(Ti_(3)SiC_(2)/Ti_(5)Si_(3)Cx/Ti_(5)Si_(3)Cx+TiC/TiC... 提出一个热-力-扩散-反应强耦合相场模型来研究热压烧结制备工艺对连续碳化硅纤维增强钛基复合材料中金属间化合物生长规律的影响。模拟结果表明,在两种不同温度下各个界面反应层(Ti_(3)SiC_(2)/Ti_(5)Si_(3)Cx/Ti_(5)Si_(3)Cx+TiC/TiC)的厚度生长与试验值吻合较好。增大外加压力能促进界面层厚度的生长,但对其中抗拉强度最低的Ti_(5)Si_(3)层的生长起显著的抑制作用,同时使各界面反应层由周向拉应力状态逐渐转变为压应力。温度的升高使断裂韧度最大的Ti_(3)SiC_(2)层厚度增大,但也使总界面层和Ti_(5)Si_(3)层的厚度增加。因此,在制备工艺上适当增加压力并选择合适的温度,得到厚度适宜的界面反应层的同时,尽可能使Ti_(5)Si_(3)层变薄和Ti_(3)SiC_(2)层变厚是提高SiCf/Ti复合材料力学性能的重要途径。 展开更多
关键词 SIC纤维增强钛基复合材料 热-力-扩散-反应耦合 相场法 界面层生长 热压烧结
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Microstructure evolution of Al-Ti liquid-solid interface 被引量:5
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作者 蒋淑英 李世春 张磊 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期3545-3552,共8页
Al-Ti diffusion couples were made by embedded technology and treated at the temperature between the melting points of Al and Ti. The microstructure evolution and growth mechanism of the Al-Ti DRZ were investigated. Th... Al-Ti diffusion couples were made by embedded technology and treated at the temperature between the melting points of Al and Ti. The microstructure evolution and growth mechanism of the Al-Ti DRZ were investigated. The result shows that the DRZ, the mixture of TiAl3 and Al, grows layer by layer along their chemical equilibrium zone. In the course, the growth interface moves toward the aluminum side. TiAl3 is the only new phase which forms earliest in the course of heat-treatment. The growth mechanism of the DRZ changes after the phase transition of titanium. Before the phase transition of titanium, the growth of the DRZ is controlled by the dissolution speed of the titanium to the molten aluminum, while after the phase transition of titanium, the growth is controlled by the chemical reaction speed of Al and Ti atoms, and consequently, its growth rate is greatly increased. 展开更多
关键词 Al-Ti liquid-solid interface diffusion-reaction zone microstructure evolution growth mechanism
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