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硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法
1
作者
孙乔玉
Catherine Henry de Villeneuve
+1 位作者
力虎林
Philippe A llongue
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期86-90,共5页
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简...
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术 ,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具 .
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关键词
硅表面有机单分子膜
界面微分电容测量法
表征方法
膜结构
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职称材料
题名
硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法
1
作者
孙乔玉
Catherine Henry de Villeneuve
力虎林
Philippe A llongue
机构
兰州大学化学化工学院
Laboratoire de Physique des Liquides et Electrochimie
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期86-90,共5页
基金
兰州大学博士科研启动基金资助
文摘
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术 ,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具 .
关键词
硅表面有机单分子膜
界面微分电容测量法
表征方法
膜结构
Keywords
Monolayers on silicon surfaces
Differential capacity
Characteristic technique
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法
孙乔玉
Catherine Henry de Villeneuve
力虎林
Philippe A llongue
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
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