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原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究
被引量:
1
1
作者
黄宇
牟文杰
+3 位作者
闫大为
杨国峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期106-110,共5页
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,...
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
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关键词
Al2O3/n-GaN
原子层沉积
背入射紫外光照
电容特性
界面态分布
下载PDF
职称材料
题名
原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究
被引量:
1
1
作者
黄宇
牟文杰
闫大为
杨国峰
肖少庆
顾晓峰
机构
物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期106-110,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504050)
中国博士后科学基金资助项目(2013M540437)
+2 种基金
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B
JUSRP51510)
江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
文摘
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
关键词
Al2O3/n-GaN
原子层沉积
背入射紫外光照
电容特性
界面态分布
Keywords
Al2O3/n-GaN
atomic layer deposition
backside ultraviolet illumination
capaci tance characteristics
interface trap distribution
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究
黄宇
牟文杰
闫大为
杨国峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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引证文献
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