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用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型
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作者 戴振清 杨瑞霞 杨克武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1252-1255,共4页
提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.... 提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.采用与温度-阈值电压实验曲线拟合的方法,确定了界面态参数和固定氧化物电荷.基于新迁移率模型的模拟结果与实验吻合. 展开更多
关键词 4H-SIC N-MOSFET 阈值电压 界面态参数 高温迁移率
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