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用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型
1
作者
戴振清
杨瑞霞
杨克武
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1252-1255,共4页
提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素....
提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.采用与温度-阈值电压实验曲线拟合的方法,确定了界面态参数和固定氧化物电荷.基于新迁移率模型的模拟结果与实验吻合.
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关键词
4H-SIC
N-MOSFET
阈值电压
界面态参数
高温迁移率
下载PDF
职称材料
题名
用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型
1
作者
戴振清
杨瑞霞
杨克武
机构
河北工业大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期1252-1255,共4页
文摘
提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.采用与温度-阈值电压实验曲线拟合的方法,确定了界面态参数和固定氧化物电荷.基于新迁移率模型的模拟结果与实验吻合.
关键词
4H-SIC
N-MOSFET
阈值电压
界面态参数
高温迁移率
Keywords
4H-SiC
n-MOSFET
threshold voltage
interface state parameters
temperature-dependent mobility
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型
戴振清
杨瑞霞
杨克武
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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