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磷对钢冷脆行为影响的相界面电子结构分析 被引量:15
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作者 尹桂丽 周立岱 林成 《辽宁工业大学学报(自然科学版)》 2009年第3期190-193,共4页
基于固体与分子经验电子理论(EET),计算了α-Fe/α-Fe-MX和α-Fe/Fe3P的相界面电子结构,并利用相界面电子密度差△ρ分析了非金属元素P引起冷脆的根本原因。计算结果分析认为,非金属元素P与基体α-Fe形成的α-Fe/α-Fe-P相界面比与Si、M... 基于固体与分子经验电子理论(EET),计算了α-Fe/α-Fe-MX和α-Fe/Fe3P的相界面电子结构,并利用相界面电子密度差△ρ分析了非金属元素P引起冷脆的根本原因。计算结果分析认为,非金属元素P与基体α-Fe形成的α-Fe/α-Fe-P相界面比与Si、Mn、Mo元素形成的相界面的电子密度差△ρ大,产生的界面应力也较大,从而提高了合金强度,降低了塑性和韧性;Fe3P与基体α-Fe形成的α-Fe/Fe3P相界面电子密度差在一级近似下不连续,强化效果显著,韧性、塑性降低明显,这是P引起冷脆的根本原因。这些理论分析与实验事实符合得很好。 展开更多
关键词 电子结构 界面电子密度 偏析 冷脆
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CrCuN薄膜择优取向与价电子结构的关系研究
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作者 谈淑咏 张旭海 +1 位作者 张炎 蒋建清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期3296-3300,共5页
基于固体和分子经验电子理论(EET)计算了CrN和Cu的价电子结构及晶面电子密度的变化,分析了CrCuN纳米复合膜择优取向与价电子结构的关系。计算结果显示,CrN(100)/Cu(111)具有较低的电子密度差,薄膜中易存在此种界面结构。当薄膜中Cu含量... 基于固体和分子经验电子理论(EET)计算了CrN和Cu的价电子结构及晶面电子密度的变化,分析了CrCuN纳米复合膜择优取向与价电子结构的关系。计算结果显示,CrN(100)/Cu(111)具有较低的电子密度差,薄膜中易存在此种界面结构。当薄膜中Cu含量较多时,Cu易于(111)择优生长,而CrN则按(100)CrN/(111)Cu位向关系在其表面形核,从而有助于CrCuN薄膜中CrN[200]取向的增强。该计算结果与实验事实相符合,为Cr-N基纳米复合膜的微结构研究和设计提供了新思路。 展开更多
关键词 EET CrCuN纳米复合膜 界面电子密度 择优取向
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硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系 被引量:1
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作者 李志林 李志峰 黄钦 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2007年第9期1163-1169,共7页
金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用.该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义.用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差,从... 金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用.该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义.用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差,从计算结果分析认为,对所研究的薄膜,薄膜与基底界面的电子密度差越小,薄膜在热力学上越稳定,界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因.这些推断与实验事实符合得很好.该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角,还可能为其他薄膜取向的预测提供指导. 展开更多
关键词 薄膜 界面电子密度 织构 外延 金刚石 立方氮化硼
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Mo改善TiC/Fe金属陶瓷界面润湿机理的价电子理论分析 被引量:3
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作者 徐文武 邹正光 +2 位作者 吴一 龙飞 姚东野 《硬质合金》 CAS 北大核心 2007年第2期70-73,共4页
本文以固体与分子经验电子理论(EET)为基础,通过建立添加Mo的TiC/Fe金属陶瓷复合材料的结构模型,计算了Mo的添加对TiC颗粒的包覆相(Ti1-xMox)C价电子结构以及陶瓷相/α-Fe相界面价电子结构的影响。结果发现:Mo的加入使陶瓷相的最强共价... 本文以固体与分子经验电子理论(EET)为基础,通过建立添加Mo的TiC/Fe金属陶瓷复合材料的结构模型,计算了Mo的添加对TiC颗粒的包覆相(Ti1-xMox)C价电子结构以及陶瓷相/α-Fe相界面价电子结构的影响。结果发现:Mo的加入使陶瓷相的最强共价键nA增强、陶瓷相与α-Fe相之间界面电子密度增加,有利于α-Fe相对陶瓷相的润湿改善,初步分析了这种微观电子结构的变化与宏观润湿性之间的关系。 展开更多
关键词 TiC/Fe金属陶瓷 电子结构 界面电子密度 EET
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Internal stress analysis of electroplated films based on electron theory
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作者 任凤章 殷立涛 +4 位作者 王姗姗 熊毅 A.A.VOLINSKY 田保红 魏世忠 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期2413-2418,共6页
Cu films on Fe, Ni and Ag substrates, Ni films on Fe and Ag substrates, Ag film on Cu substrate, Cr film on Fe substrate, Ag film on Ag substrate, Ni film on Ni substrate and Cu film on Cu substrate were deposited by ... Cu films on Fe, Ni and Ag substrates, Ni films on Fe and Ag substrates, Ag film on Cu substrate, Cr film on Fe substrate, Ag film on Ag substrate, Ni film on Ni substrate and Cu film on Cu substrate were deposited by electroplating. The average internal stress in all films, except Cr, was in-situ measured by the cantilever beam test. The interfacial stress is very large in the films with different materials with substrates and is zero in the films with the same material with substrates. The interfacial stress character obtained from the cantilever beam bending direction is consistent with that obtained from the modified Thomas–Fermi–Dirac electron theory. 展开更多
关键词 metal film DEPOSITION INTERFACE internal stress electron density
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Cr对Fe-Cr合金耐蚀性能影响的电子理论研究 被引量:8
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作者 王垚 李春福 林元华 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期622-630,共9页
基于固体与分子经验电子理论(EET),对Fe-Cr合金(Cr含量为0~30%,原子分数)的价电子结构进行了半定量分析,利用界面电子密度差Dr的计算方法,计算了Fe-Cr合金与Cr_2O_3、Fe_2O_3钝化膜低指数晶面间的电子密度。结果表明,Fe-Cr合金固溶体的... 基于固体与分子经验电子理论(EET),对Fe-Cr合金(Cr含量为0~30%,原子分数)的价电子结构进行了半定量分析,利用界面电子密度差Dr的计算方法,计算了Fe-Cr合金与Cr_2O_3、Fe_2O_3钝化膜低指数晶面间的电子密度。结果表明,Fe-Cr合金固溶体的杂化原子轨道数sn、最强键共价电子数nA和最强键键能EA均大于纯Fe,Cr能提高Fe基体的稳定性。当Cr含量达到12.52%和24.3%时,Cr原子从低阶迁移到共价电子数少的高阶状态,不稳定性增加,此时Cr易偏离平衡位置与腐蚀介质作用形成钝化膜,造成Fe-12.52%Cr和Fe-24.3%Cr合金的耐腐蚀性能发生突变。Fe-Cr合金与Cr_2O_3、Fe_2O_3钝化膜的24个低指数界面中,只有Fe-Cr(112)/Cr_2O_3(0001)、Fe-Cr(112)/Cr_2O_3(1010)_(Cr)、Fe-Cr(112)/Fe_2O_3(11 20)界面的Dr<10%,对于同等Cr含量的基体,Fe-Cr(112)/Cr_2O_3(1010)_(Cr)界面Dr最小,满足Dr<10%的杂化原子轨道数s最大。随着基体中Cr含量升高,Fe-Cr(112)/Cr_2O_3(0001)和Fe-Cr(112)/Fe_2O_3(11 2ˉ0)界面Dr降低,s增加,Cr_2O_3、Fe_2O_3与基体的界面更加稳定牢固,因此Fe-24.3%Cr合金的耐腐蚀性可跃迁至更高水平。价电子结构对Fe-Cr合金耐蚀性能变化的分析结果基本符合Tammann定律的描述。 展开更多
关键词 经验电子理论 耐腐蚀性能 钝化膜 界面电子密度 Tammann定律
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