基片焊接不良导致微波功率器件热烧毁

利用声学扫描检测技术,提示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证了焊接界面存在大面积空隙的状况;分析了其失效机理,并提出了建议。

正硅酸四乙酯修饰Fe3O4制备磁性有机硅氧氮分离膜及其性能研究

以高渗透性聚二甲基硅氧烷(PDMS)为基体,以正硅酸四乙酯修饰四氧化三铁(TEOS@Fe3O4)为磁性基元,采用溶剂挥发法制备了PDMS/TEOS@Fe3O4磁性有机硅膜,研究TEOS修饰作用对磁性有机硅膜氧氮渗透性能的影响。结果表明,经TEOS修饰后的Fe3O4与PDMS之间具有良好界面相容性,PDMS/TEOS@Fe3O4膜的机械性能得到显著提升。与PDMS/Fe3O4膜相比,PDMS/TEOS@Fe3O4膜的O2/N2理想选择性增加;施加外加磁场后,两种磁性膜的O2/N2理想选择性分别提高了16.2%和8.0%。当外加磁场强度为56mT时,PDMS/TEOS@Fe3O4膜的O2渗透系数为1483Barrer,O2/N2理想选择性为2.2。

PDMS磁性膜的制备及其对O2/N2分离性能研究

以聚二甲基硅氧烷(PDMS)为聚合物基体,以Fe3O4和乙烯基三乙氧基硅烷修饰四氧化三铁(VTES@Fe3O4)为磁性基元,采用溶剂挥发法制备了PDMS/Fe3O4、PDMS/VTES@Fe3O4磁性混合基质膜。研究了磁性粒子添加量以及界面空隙在有无磁场存在时对磁性混合基质O2/N2分离性能的影响。结果表明,随着VTES@Fe3O4含量的增加,该磁性膜O2/N2选择性呈先增后减的趋势,磁场的存在使得O2/N2选择性进一步增加。磁场作用下,Fe3O4和PDMS之间能形成O2渗透低阻力磁通道的界面空隙,因VTES的引入而消失。当磁性粒子添加量为3.5wt%时,PDMS/Fe3O4磁性膜在磁场作用前后O2/N2选择性增量高于PDMS/VTES@Fe3O4膜(0.3>0.1)。

褪色字画显现加固研究

本文以使褪色字画图形、印章、题跋显现原貌,并得到加固为目的,在分析字画图形、印章、题跋褪色与显现加固机理的基础上,研制了一种由高分子材料(EC)、稳定性抗氧化剂(TNPP)及光稳定剂(GW-508)组成的显现加固保护剂,对民国时期名人花卉画进行了显现加固,并对模拟样品进行了扫描电镜、红外光谱和相关性质实验测试,结果表明该显现加固保护剂既对字画颜料进行了显现加固,又对载体纸张进行了加固和保护。