大尺寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(Gd_3Ga_5O_(12))单晶的生长研究

随着光纤通讯产业的迅猛发展 ,市场对 3英寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石 (分子式为Gd3 Ga5O12 ,简称GGG)的需求量急剧增加。本文从磁光薄膜 (YIG以及类YIG)对其外延基底单晶GGG物化性能的要求出发 ,综述了在利用传统的提拉法生长大尺寸、符合磁光薄膜衬底要求的Gd3 Ga5O12 单晶的过程中 ,出现的诸如Ga2 O3 组分挥发 ,界面翻转 ,螺旋生长和晶体的开裂等问题 ,针对各个问题讨论了它们的形成机制并提出了它们的解决方法。最后 ,还根据目前磁光薄膜的发展情况 。