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Pb(Zr_(0-52)Ti_(0-48))O_3陶瓷畴界粘滞运动的介电损耗模拟 被引量：3
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作者 陈小兵 严峰 +3 位作者 李春华 朱劲松 沈惠敏 王业宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期1529-1534,共6页
对不同频率下（１ —１０ ｋ Ｈｚ） Ｐｂ（ Ｚｒ０５２ Ｔｉ０４８） Ｏ３ 多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度 Ｔｃ 以下存在一介电损耗峰，该峰具有弛豫特征但不满足 Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ 关系．这一损耗峰被... 对不同频率下（１ —１０ ｋ Ｈｚ） Ｐｂ（ Ｚｒ０５２ Ｔｉ０４８） Ｏ３ 多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度 Ｔｃ 以下存在一介电损耗峰，该峰具有弛豫特征但不满足 Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ 关系．这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的．用畴界粘滞运动的动力学方程，考虑陶瓷样品中 Ｔｃ 离散分布的情况，模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为，得到了与实验数据一致的结果．并由拟合参数计算了畴界运动的粘滞系数和缺陷钉扎引起的回复力常量． 展开更多
关键词 PZT 陶瓷 铁电陶瓷 介电性能 畴界粘滞运动
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