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结构片断法计算离子型表面活性剂的HLB值 被引量:5
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作者 杨运泉 李远喜 +1 位作者 童刚生 李国龙 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期449-453,共5页
运用结构片断法计算离子型表面活性剂的疏水值logP,并将疏水值概念引入Davies基团贡献法以代替该模型中亲油基的基团数,从而建立了计算离子型表面活性剂HLB值的新模型为:HLB=7+∑亲水基基团数-∑疏水基logP。通过与文献列举的17个不同... 运用结构片断法计算离子型表面活性剂的疏水值logP,并将疏水值概念引入Davies基团贡献法以代替该模型中亲油基的基团数,从而建立了计算离子型表面活性剂HLB值的新模型为:HLB=7+∑亲水基基团数-∑疏水基logP。通过与文献列举的17个不同系列离子型表面活性剂的HLB值对照表明,该新模型的计算值与文献值的平均相对偏差为1.68%。采用非线性方法拟合了烷基硫酸钠,烷基磺酸钠和烷基三甲基溴化铵3类典型离子型表面活性剂的CMC和HLB的关系,并得到了其关联方程,拟合结果表明,由新模型得到的关联方程其复相关系数R2>0.988。 展开更多
关键词 离子型表面活性剂 HLB CMC 结构片断法 疏水值logp 基团贡献法
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