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AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征 被引量：3
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作者 尉吉勇 黄柏标 +7 位作者 于永芹 周海龙 岳金顺 王笃祥 潘教青 秦晓燕 张晓阳 徐现刚 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期781-783,共3页
设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍... 设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍射对其进行结构表征 ,5 80 nm波长 DBR结构周期为 84 .5 nm。 展开更多
关键词 AlGaAs/AlAs体系 DBR MOCVD 分布式Bragg反射 白光反射谱 双晶X衍射 铝镓砷三元体系 分布式布喇格反射 半导体
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