导模法生长白宝石单晶中的气孔观察

研究了导模法生长白宝石单晶过程中，单晶内气孔的产生、分布形态、密度及尺寸。结果表明：固－液界面形状和稳定性是决定气孔分布形态和密度的关键因素，而这又取决于合理的生长工艺条件，尤其是晶体生长速率和正确的模具设计。

提拉法生长大直径白宝石单晶

探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中，固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．

坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶。我们使用大尺寸异型钼坩埚 ,高纯氧化铝原料 ,在中性气氛下 ,结晶区温度梯度为 2 5～ 30℃ /cm ,生长速度为 0 .8～ 1.8mm/h ,生长方向选C面 [0 0 0 1]取向 ,成功生长出直径 80mm ,高度 90mm的完整透明的白宝石单晶 ,在 30 0～ 550 0nm范围内 ,其光学透过率均在 80 %以上。实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由 2 0kW下降到 15kW ,能耗降低达 2 5% ;采用双回路加热系统 ,提高温场稳定性 ,缩短晶体生长周期。晶体的主要缺陷为顶部 (生长后期 )出现有 5～ 10mm淡黄色色带 (经在氧化性气氛中退火后已消除 )和底部有细丝状条纹。

陶瓷在真空电子功率器件输出窗中的应用

本文综述了近20～30年来国内外真空电子器件用输出窗材料的应用状况,指出输出窗材料对器件性能和可靠性的重要影响和大平均功率mm波器件输出窗材料的开发前景。

光学晶体、液晶

O734 2001021373GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱=Rutherford backscatterng and channeling,doublecrystal X-ray diffraction and photoluminescenceof GaN[刊,中]/姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益(南昌大学材料科学研究所.江西,南昌(330047))//半导体学报.—2000,21(5).-437-440采用卢瑟福背散射沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试。它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致。图4表1参11(李瑞琴)