1例Brugada综合征病人行全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入术的护理

1例Brugada综合征病人在全身麻醉下行全皮下埋藏式心脏转复除颤器(S-ICD)植入术,围术期给予病人精准化护理,术前重点加强电风暴的应急准备和心理护理,预防因Brugada综合征发生室性心动过速/心室颤动导致的心脏性猝死(SCD),为病人赢得手术时机,同时帮助病人以平稳的心态接受手术;术中医护配合确保病人安全;术后给予生命体征观察、活动指导及切口护理等。经有效的治疗和护理成功植入S-ICD,无医疗及护理并发症的发生。

全皮下埋藏式心脏转复除颤器

全皮下埋藏式心脏转复除颤器是近年来器械治疗的一大进展。因其无需静脉植入除颤导线,可避免静脉导线相关的一些并发症,但局限为没有起搏功能。

1例全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入病人的护理

1例全皮下埋藏式心脏转复除颤器(S-ICD)治疗恶性心律失常病人给予有效的护理:完善术前准备、术中医护患三方面有效配合、术后给予生命体征观察及切口护理,重点加强心理护理和出院指导。经有效的治疗和护理,病人术前焦虑和恐惧等心理明显缓解,术中能较好地配合,成功植入S-ICD,提高了病人术后治疗的依从性,无医疗及护理并发症的发生,起搏参数正常。

超声引导下前锯肌平面阻滞应用于全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入术1例

1病例简介患者女性,38岁,2021年2月18日因情绪激动出现意识不清,四肢抽搐,大小便失禁,家属予以胸外按压,数分钟后恢复意识,外院急诊心电图示阵发性室性心动过速,服用倍他乐克和普罗帕酮治疗效果不佳。2021年3月1日来我院诊治,心电图示阵发性多形性室性心动过速(见图1),口服胺碘酮控制心律失常较为理想。患者否认高血压、糖尿病和心肌疾病史,否认猝死家族史。

肥厚型心肌病患者12年除颤导线拔除及全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入一例

患者男性,61岁。除颤器植入十余年后因电池耗竭、导线磨损,先后予以更换除颤器及新植入一根除颤导线,后出现囊袋感染,充分抗感染治疗病情稳定后顺利拔除三根导线,再次完善术前评估无需抗心动过速起搏及起搏治疗,遂改行全皮下埋藏式心脏转复除颤器植入,术后出现不恰当电击进行相应处理。

经静脉导线拔除后植入全皮下埋藏式心脏复律除颤器的临床结果

目的:评估没有起搏指征的静脉埋藏式心脏复律除颤器(TV-ICD)患者经静脉导线拔除(TLE)后植入全皮下埋藏式心脏复律除颤器(S-ICD)的安全性和有效性。方法:连续纳入2018年6月至2023年10月于北京大学人民医院行TLE后再植入S-ICD的所有患者。统计并分析TLE指征、S-ICD植入适应证、除颤阈值(DFT)测试、并发症及术后随访情况。结果:共有11例TV-ICD患者在TLE后接受了S-ICD植入,男性8例,中位年龄56(44,65)岁。TLE的指征为感染和导线功能障碍。ICD二级预防的有9例患者,最常见的植入原因是离子通道疾病(5例)。S-ICD的手术时间为51(48,58)min,未发现围术期并发症。8例患者进行了DFT测试,全部成功。在中位30(9,39)个月的随访中,2例患者共发生6次适当的治疗,无并发症发生,包括不适当的治疗、无效治疗、感染、导线故障和死亡。结论:本研究为S-ICD作为TV-ICD移除后的替代提供了依据。TLE后植入S-ICD是安全有效的。

NOS1AP基因单核苷酸多态性位点rs10494366与埋藏式心脏复律除颤器二级预防患者室性心律失常事件的相关性评估

目的借助埋藏式心脏复律除颤器(ICD)记录的事件探讨一氧化氮合酶1衔接蛋白(NOS1AP)基因rs10494366位点TT基因型在ICD二级预防患者室性心律失常事件中的预测价值。方法入选2013年9月至2017年6月于郑州大学人民医院心律失常病区行ICD植入的二级预防患者122例为病例组,入选同期于体检中心体检的348例健康体检人群为对照组。在ICD二级预防患者及健康对照人群中对NOS1AP基因rs10494366位点行病例-对照研究,分析该位点TT基因型是否和ICD二级预防患者相关。对入选对象进行长期随访,在ICD植入后第3月、第12月及第3年进行程控检查,对记录的快速室性心律失常事件及恰当治疗事件与三种基因型(GG、GT、TT)进行相关性分析,同时评估rs10494366位点三种基因型对死亡率的影响。结果rs10494366位点TT基因型和QT间期的延长显示了正相关性(β=9.443,P=0.020)。病例-对照研究显示rs10494366位点TT基因型和ICD恰当治疗患者相关(等位基因模式下P=0.014)。经过31.70±9.15个月的随访,发现rs10494366位点三种基因型患者的ICD放电次数具有差异(Z=7.628,P=0.022),TT基因型增加了ICD放电频率和次数。进一步通过Kaplan-Meier曲线显示TT基因型患者较其他两种基因型生存预后较差(P=0.005);Cox回归分析发现,rs10494366 TT基因型是心源性猝死的高风险因素,与GG基因型相比死亡风险增加2.944倍(P=0.014)。结论NOS1AP基因中rs10494366位点TT基因型增加了ICD二级预防患者放电治疗事件,可做为此类患者的风险预测因子,临床检测该位点的基因型具有一定参考价值。

皮下埋藏式心脏转复除颤器技术研究进展

皮下埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(S-ICD)技术是预防心源性猝死(SCD)的新尝试,避免了传统静脉ICD的导线并发症,适用于导线并发症发生率高、无起搏指征、预期生存时间长的年轻患者。众多临床研究证实了S-ICD在治疗SCD中的有效性、安全性。S-ICD系统主要由脉冲发生器、皮下电极、体外程控仪构成。S-ICD存在延迟放电、不恰当放电、高能放电、无起搏功能、兼容性等尚存争议的问题。S-ICD在一定适应证范围内有潜在大的应用前景。

感染性心内膜炎电极拔除术后皮下埋藏式心脏转复除颤器植入一例

患者女性,36岁,17年前因长QT综合征(LQTS)行经静脉埋藏式心脏转复除颤器(ICD)(左前胸)置入术后,7年前因左前胸囊袋感染,于右前胸行经静脉ICD植入术,1年前因感染性心内膜炎行电极拔除术。考虑患者年轻女性、遗传性心律失常、多形性室性心动过速及心室颤动史、双侧前胸囊袋感染史、感染性心内膜炎病史,符合全皮下ICD植入适应证,遂行皮下ICD植入,术后恢复良好。

全皮下埋藏式心律转复除颤器成功救治长QT综合征伴反复昏厥患者1例报告

全皮下埋藏式心律转复除颤器(S-ICD)是预防心脏性猝死(SCD)最新技术,与传统的经静脉心内除颤器(TV-ICD)比较,具有操作简便安全、术后并发症少且轻等优点,适用于无抗心动过缓起搏适应证、无抗心动过速起搏(ATP)需求和不适于心脏再同步化起搏治疗(CRT)的心脏性猝死高危患者。本研究拟回顾性分析S-ICD成功救治1例长QT综合征(LQTS)反复发作尖端扭转型室性心动过速(TdP)伴昏厥患者的临床资料,报道如下。

经皮穿刺腋静脉植入埋藏式心脏转复除颤器治疗儿童Brugada综合征一例

患者男性,11岁,因近3年内晕厥、抽搐3次入院。平素体健,无猝死的家族史。心电图表现为Ⅰ型Brugada波,心内电生理检查诱发出心室颤动,诊断为Brugada综合征。经左侧腋静脉成功植入Medtronic 7230Cx埋藏式心脏转复除颤器,随访2个月,埋藏式心脏转复除颤器无放电,患者一般情况良好。

具有埋藏式心脏转复除颤器植入适应证患者的调查与随访

目的调查符合植入埋藏式心脏转复除颤器(ICD)适应证患者的基础病因、临床特征、治疗选择及预后。方法入选本院符合ICD适应证的152例患者,收集其基本资料及相关病史,记录入院期间检查结果及治疗情况,并对死亡率和恶性室性心律失常发生率进行随访。结果符合ICD适应证患者以缺血性心脏病最多;ICD心脏性猝死一级预防适应证患者明显多于二级预防适应证患者(118 vs 34);二级预防适应证患者植入ICD的比例明显多于一级预防适应证患者[44.1%(15/34)vs 9.3%(11/118)];随访结束发现植入ICD/CRT-D患者的全因死亡率要明显低于未植入ICD/CRT-D患者[0%vs 17.5%(20/114)](P<0.05)。结论 ICD/CRT-D能减低ICD适应证患者的全因死亡率,然而临床上ICD作为心脏性猝死预防的实际应用要远远低于其指征范围。

心脏性猝死的预防及我国埋藏式心律转复除颤器应用状况

目的 通过对全国部分医院的回顾性调查研究 ,了解我国埋藏式心律转复除颤器 (ICD)使用状况。方法 回顾性分析了 1996年 1月 18日到 2 0 0 3年 1月 31日 ,来自 82家医院的 173例ICD患者的临床情况 ,了解其基础病因、心律失常类型、ICD对心律失常的治疗情况以及ICD的并发症。结果 173例植入ICD患者 ,其中 115例 (6 6 5 % )有各种器质性心脏病 ,以冠心病为最常见。植入患者中室性心动过速 (VT) 10 6例 (6 1 3% ) ,心室颤动 (VF) 34例 (19 6 % ) ,VT合并VF 33例 (19 1% )。在平均随访 2 7 8个月 (1～ 86个月 )中 ,82例 (47 4 % )发生VT和 或VF ,并接受ICD成功治疗 ;73 0 4 %的VT通过抗心动过速起搏 (ATP)终止 ;VF除颤成功率为 10 0 % ;误放电率为 2 0 %。术后并发症发生率为 2 3% ,随访期间共有 11例患者死亡 ,占 6 4 %。结论 本研究的有限数据表明ICD治疗对我国患者带来的好处 ,但其应用尚处于起步阶段。

埋藏式心脏转复除颤器治疗的心理问题

安置了埋藏式心脏转复除颤器(ICD)的患者出现心理问题的发生率国外报道为30%～50%。统计国内文献其发生率平均为37.8%,电击产生的心理问题最多,占55.5%,ICD本身产生的占35.6%。心理问题的临床表现及后果有①焦虑、抑郁;②行为对抗和自杀;③性功能障碍;④安置器械一侧肢体强迫制动和肢体乏力;⑤频繁室性心动过速发作。产生的原因有①生物学原因:基础心脏病的发作和加重;②认识因素:对ICD植入适应不良和对电击产生恐惧;③社会性因素:社会支持系统发生变化。处理策略有①加强基础心脏病和心律失常的治疗;②调整ICD参数,减少电击治疗;③心理咨询和心理治疗;④改善社会支持系统。

埋藏式心脏转复除颤器安置后电风暴的处理与预后

目的通过分析埋藏式心脏转复除颤器(ICD)患者的长期随访资料,总结电风暴(ES)的诱发因素、临床处理及预后。方法48例患者共植入50台ICD,ES定义为24hICD正确检测到≥3次室性快速性心律失常,并促发ICD电治疗。结果随访时间中位数为16.9个月。共6例发生了8次ES。常见诱因为严重感染、心力衰竭和肾功能衰竭等。通过纠正诱因,使用抗心律失常药物,能有效减少和避免ICD电治疗。ES发生后,死亡率明显增高。结论ICD患者发生ES有比较明确的诱发因素,并且ES具有一定的预后判断价值。

埋藏式心脏转复除颤器植入后电风暴的临床观察

目的探讨应用埋藏式心脏转复除颤器(ICD)后出现电风暴现象的一般规律及诊治经验。方法总结1996年8月至2008年6月间96例ICD植入患者术后电风暴的发生率、发生原因及治疗方法 ,并比较单次电风暴患者与多次电风暴患者在年龄、随访时间、首次电风暴发生时间及左室射血分数(LVEF)等方面的指标。结果随访时间中位数为12个月,有12例(12.5%)发生了电风暴,首次电风暴事件距离ICD植入术后的中位数为31天。相对于单次电风暴患者而言,发生多次电风暴患者的LVEF较低。结论 ICD患者植入术后,电风暴的发生率为12.5%,多次发生电风暴的患者具有低LVEF的特点。

埋藏式心脏转复除颤器除颤阈值测试没有必要的理由

自从埋藏式心脏转复除颤器(ICD)在上世纪80年代进入临床使用以来,是否需要评估除颤阈值(DFT)测试逐渐成为一个令人困惑的问题。鉴于诱发性心室颤动(简称室颤)与自发性室颤不同;是否测试DFT并不影响远期死亡率;ICD大多数针对的治疗为室性心动过速而不是室颤;DFT存在脑梗死,心肌酶升高,心功能恶化,甚至直接死亡等风险;器械的改善(单相变双相)已经降低了DFT;首次放电失败的患者,二次放电均成功除颤;诱发室颤除颤成功率不能预测临床室颤除颤成功率;废除DFT测试最大的诱惑是更多的患者有机会接受这种挽救生命的治疗等诸多原因,我们认为ICD植入术中应放弃进行DFT测试。

埋藏式心脏转复除颤器用于猝死一级预防临床应用8例

心脏性猝死（SCD）是当今世界所关注的公共健康问题。

心脏性猝死一级预防与二级预防患者植入埋藏式心脏转复除颤器术后的随访观察

目的对比心脏性猝死(SCD)一级和二级预防患者植入埋藏式心脏转复除颤器(ICD)术后生存与适当治疗的情况。方法连续入选于本院行ICD或带除颤功能的心脏再同步治疗(CRT-D)植入术的患者,随访记录患者的生存情况、ICD保存的室性心律失常与治疗数据,对比一级预防与二级预防组间生存与ICD适当治疗,并寻找ICD术后生存和ICD适当治疗的预测因素。结果入选124例患者,一级预防组63例,二级预防组61例,中位随访时间300天。共有12例患者死亡(9.6%),其中一级预防组7例(11.1%),二级预防组5例(8.2%),组间生存曲线无统计学差异(P=0.095)。术前log(NT-proBNP)是术后生存的唯一独立预测因素(HR=8.81,P=0.047)。共有24例患者接受过ICD适当治疗(19.4%),组间术后ICD适当治疗曲线存在显著差异(P=0.014)。QRS波时限(QRSd)是术后ICD适当治疗的独立预测因素(HR=1.24,P=0.020)。QRSd≥120 ms的患者中二级预防组患者更早接受ICD适当治疗(P=0.027),QRSd<120 ms的患者中组间首次ICD适当治疗时间无差异(P=0.242)。结论因SCD一级预防与二级预防植入ICD患者在术后生存无显著差异;二级预防较一级预防患者更早接受ICD适当治疗,这种差异主要归因于术前QRSd≥120 ms的患者。

2016年欧洲心脏病学会心力衰竭治疗指南解读——射血分数降低的心力衰竭非外科置入装置(埋藏式心律转复除颤器/心脏再同步化治疗)治疗

本文重点介绍《2016年欧洲心脏病学会（European Society of Cardiology,ESC）急/慢性心力衰竭治疗指南》（以下简称《2016年指南》）中关于射血分数降低的心力衰竭（heart failure with reduced ejection fraction,HFr EF）非外科置入装置治疗部分,