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盐酸刻蚀的不同形貌空心结构二氧化锰的电化学行为(英文)
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作者 韩丹丹 徐鹏程 +3 位作者 丁元生 朱长凤 柏铭阳 刘乙良 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2453-2460,共8页
以液相湿法和水热法合成的碳酸锰为前驱体,通过盐酸的选择性刻蚀分别合成立方体和纺锤体MnO2分级空心结构。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其结构和形貌进行了表征。采用循环伏安、恒流充放电技术和交流阻... 以液相湿法和水热法合成的碳酸锰为前驱体,通过盐酸的选择性刻蚀分别合成立方体和纺锤体MnO2分级空心结构。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其结构和形貌进行了表征。采用循环伏安、恒流充放电技术和交流阻抗对其电化学性能进行了测试。结果表明,碳酸锰前躯体粒径分布集中,简易快速(3 min)的合成技术所形成的空心结构有利于电解液的渗透,以及电子和离子的传输与交换。在电流密度为0.5 A·g-1时,分级空心立方体MnO2电极比电容为115 F·g-1,并表现出良好的循环稳定性和可逆性。 展开更多
关键词 MNO2 盐酸刻蚀 微纳米空心结构 电化学性能
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不同浓度盐酸刻蚀对钛基锡锑钌氧化物涂层电极活性和寿命的影响 被引量:2
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作者 汪世川 王腾 +5 位作者 闫文凯 陈步明 黄惠 何亚鹏 郭忠诚 徐瑞东 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期59-64,共6页
钛基体的酸刻蚀是钛基氧化物涂层电极能否在湿法冶金中应用的关键前处理步骤。采用不同质量分数(5%,10%,15%,20%,25%)的盐酸溶液刻蚀钛基体并制备钛基锡锑钌氧化物涂层电极。通过扫描电镜、电化学工作站及加速腐蚀测试对电极的表面形貌... 钛基体的酸刻蚀是钛基氧化物涂层电极能否在湿法冶金中应用的关键前处理步骤。采用不同质量分数(5%,10%,15%,20%,25%)的盐酸溶液刻蚀钛基体并制备钛基锡锑钌氧化物涂层电极。通过扫描电镜、电化学工作站及加速腐蚀测试对电极的表面形貌、电催化活性及强化寿命进行了表征,以获得钛基体刻蚀的最佳盐酸浓度。结果表明:随着盐酸浓度升高,钛基体表面腐蚀的程度加深,孔径变大,从纳米级至数微米,扩孔腐蚀起主导作用;随着盐酸浓度的升高,刻蚀后制备的涂层电极的析氧过电位和电荷传递电阻先减小后增大,伏安电量先增大后降低;当盐酸浓度为20%时,刻蚀后制备的涂层电极的析氧过电位最低,其值为274.6 m V(500 A/m^2),电荷传递电阻最低,为0.216 5Ω·cm^2,伏安电量最高,达0.029 9 C/cm^2;在150 g/L H2SO4溶液中以1 A/cm^2的电流密度条件进行加速寿命试验结果显示,浓度为20%的盐酸刻蚀后制备的电极具有最长的使用寿命,其电极寿命为80 h,是浓度为5%的盐酸刻蚀后制备的电极寿命的2.85倍。 展开更多
关键词 钛基电极 盐酸刻蚀 锡锑钌氧化物涂层 寿命 电催化活性
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Selective Synthesis of Different-Sized Gold Nanoclusters through HCI-Etching and-Growth Effect
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作者 Ting Huang Zhi-hu Sun Guo-qiang Pan 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2018年第2期223-228,246,共7页
Controllable syntheses of different-sized gold nanoclusters are of great significance for their fundamental science and practical applications. In this work, we achieve the controllable and selective syntheses of Au7 ... Controllable syntheses of different-sized gold nanoclusters are of great significance for their fundamental science and practical applications. In this work, we achieve the controllable and selective syntheses of Au7 and Au13 clusters through adding HCl to the traditional Aull synthetic route at different reaction time. Time-dependent mass spectra and UV- Vis spectra were ernployed to monitor these two HCl-directed processes, and revealed the distinct roles of HCl as an etchant or a growth prornotor, respectively. Furthermore, parallel experiments on independent synthetic routes involving only non-chlorine H+ (acetic acid) or Cl (tetraethy larnrnoniurn chloride) instead of HCl were perforrned, which illustrated the main role of H^+-etching and Cl^ -assisted growth in HCl-directed cluster synthetic routes. We propose the HCl-etching is mainly achieved via the H+ action to break the Au(I)-PPh3 part of clusters, while the HCl-prornoted growth is realized via the attachment of Au-Cl species to the pre-forrned clusters. 展开更多
关键词 Selective synthesis Route control HC1 Etching and growth effects
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