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SiC MOSFET的短路特性 被引量:1
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作者 高勇 乔小可 +1 位作者 孟昭亮 杨媛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期342-348,共7页
以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断,国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少。SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小,由于高频开关特性,其对回路寄生参数的影响更加敏感,桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导... 以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断,国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少。SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小,由于高频开关特性,其对回路寄生参数的影响更加敏感,桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导通,因此快速检测并可靠关断的短路保护技术显得尤为重要。设计了基于FPGA的数字式SiC MOSFET驱动保护电路,实现了短路保护盲区时间易于调整。搭建了第一类短路测试平台并对SiC MOSFET进行了短路测试,分析了漏源极电压退饱和保护及短路测试平台原理,在此基础上研究了栅极电阻、栅源极电压等外部参数对SiC MOSFET短路特性的影响,为SiC MOSFET器件的应用及驱动器的设计提供了一定的指导。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 短路特性 FPGA 驱动保护 盲区时间
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