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题名采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列
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作者
杨昕
张斌珍
南雪莉
崔建利
王万军
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机构
中北大学电子测试技术重点实验室
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出处
《科学技术与工程》
北大核心
2017年第2期230-233,共4页
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基金
国家自然科学基金(51475438
61401405)资助
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文摘
针对目前MEMS工艺里由于微电铸铸层内应力导致的金属微结构与基底容易脱离的问题和不足,提出一种借助盲孔填充技术制备微电极阵列的方法。选择KMPR作为胶模材料,首先通过UV-LIGA工艺制备出180μm厚的阵列孔缝胶模结构,然后在胶模表面溅射Cu种子层,优化电铸工艺参数:电铸前采用真空润湿的方法排出孔缝内气泡,电铸液中加速剂与抑制剂浓度分别为4×10^(-6)mol/L和24×10^(-6)mol/L,电流密度为1 A/dm^2,在孔缝内电铸铜,并在胶模表面电铸出铜基底,最后获得了高180μm,线宽200μm的两种柱状金属微电极阵列。试验结果表明,盲孔填充技术是一种低成本、安全的制作金属微电极阵列的方法。
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关键词
UV-LIGA
KMPR
微细阵列电极
盲孔填充技术
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Keywords
UV-LIGA
KMPR
micro-electrode array
blind via filling technology
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TG662
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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