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快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量:
1
1
作者
郝秋艳
乔治
+3 位作者
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原...
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
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关键词
快速退火
原生微缺陷
流动图形缺陷
原子力显微镜
直拉硅单晶片
下载PDF
职称材料
硅红外滤光片的热处理工艺
2
作者
谭淞生
《科技开发动态》
1995年第6期43-43,共1页
关键词
硅红外滤光
片
热处理
透过滤
直拉硅单晶片
原文传递
题名
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量:
1
1
作者
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
机构
天津大学电信学院
河北工业大学信息功能材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60076001
No.50032010)河北省自然科学基金资助项目(No.502061)
文摘
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
关键词
快速退火
原生微缺陷
流动图形缺陷
原子力显微镜
直拉硅单晶片
Keywords
CZSi
grown-in defect
flow pattern defects (FPDs)
atomic force microscopy (AFM)
rapid thermal annealing (RTA)
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O77 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
硅红外滤光片的热处理工艺
2
作者
谭淞生
机构
上海市长宁路
出处
《科技开发动态》
1995年第6期43-43,共1页
关键词
硅红外滤光
片
热处理
透过滤
直拉硅单晶片
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
TG15 [金属学及工艺—热处理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
2
硅红外滤光片的热处理工艺
谭淞生
《科技开发动态》
1995
0
原文传递
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