期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响 被引量:1
1
作者 郝秋艳 乔治 +3 位作者 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原... 本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。 展开更多
关键词 快速退火 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 直拉硅单晶片
下载PDF
硅红外滤光片的热处理工艺
2
作者 谭淞生 《科技开发动态》 1995年第6期43-43,共1页
关键词 硅红外滤光 热处理 透过滤 直拉硅单晶片
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部