新型陶瓷/金属化合物基板——直接敷铜板

直接敷铜(DBC)板是用于电子学封装的一种陶瓷/金属化合物基板。这种DBC板适用于光电子学封装的采集排列制作,并可提供无源对准、好的热导率、CTE匹配及良好的可靠性。本文介绍了采用DBC板的光电子学封概念布线、制作和应用。

直接敷铜Al_2O_3陶瓷基板的界面产物研究

直接敷铜Ａｌ２Ｏ３基板已被广泛应用于大功率场合．本文通过Ｃｕ箔表面预氧化生成Ｃｕ２Ｏ的方法引入氧，１０７０℃在Ｃｕ箱和Ａｌ２Ｏ３基板界面上所产生的Ｃｕ－Ｃｕ２Ｏ共晶液体促进了二者的牢固结合．流动氮气氛下保温１ｈ，观察到了明显的界面产物层．ＳＥＭ和ＸＲＤ的分析表明，界面产物相为ＣｕＡｌＯ２．

功率模块用的直接键合铜(DBC)基板的最新进展

直接键合铜(DBC)基板是功率模块用的标准电路板。利用 DBC 技术的厚铜箔(0.125～0.7mm)可粘覆在氧化铝或氮化铝陶瓷上。由于铜与陶瓷键合的强粘附能力,可使其水平方向的热膨胀系数减小到略大于陶瓷的热膨胀系数。这样,无需用热膨胀系数补偿片(如:钨、钼片)就可将大尺寸硅芯片直接钎焊在此基板上。由于 DBC 技术使用铜箔,可实现在陶瓷片上直接引出悬空的铜集成引出腿。结合集成引出腿的新的跨接技术,可设计出改善热性能的轻巧的气密封装。为了在功率电路区域下施加液流冷却,采用三维微通道集成,可以获得极低热阻(<0.03K/W)的高端多芯片式模块。开发了一种新的抗挠强度大于1000MPa 和具有优越温度循环可靠性的氧化铝 DBC 基板。

陶瓷—铜键合基板（DBC）在功率模块的最近发展

DBC基板是功率模块上标准的电路板材料。利用DBC技术、厚铜箔(0．125mm-0.7Dmm)便可覆合在氧化铝或氮化铝陶瓷上。由於这种铜与陶瓷间结合力很强，致使其水平方向热膨胀系数减低到略比陶瓷热膨胀TEC大些。这样，在装配大型硅芯片时，就不需再用控制热膨胀的过渡片，芯片便可直接焊接在此基板上。因为DBC技术使用铜箔，令在陶瓷面上直接引出悬空的铜集成引脚实现。新的微导孔技木、结合此种集成引脚，今工程师们可以设计出轻巧、散热性良的气密封装模块。利用三维微通道式液冷散热基板置於高功率区底部，令高新技术、低热阻性(0．03k／W)的多芯片式模块可开发成功。一种新的、柔韧度高达>1000Mpa、及具有优异的耐高低温循环性的氧化铝DBC基板已经发展完成。

DBC 电子封装基板研究进展

综述了 DBC 电子封装基板的研究进展,介绍了 DBC 电子封装基板材料的选择、敷接的关键技术及其在电子封装中的使用特点,并展望了 DBC 电子封装基板的应用前景。

BC陶瓷基板附着力的研究

直接敷铜 (DBC)法陶瓷基板是新型的陶瓷 金属连接方法。附着力是这种基板的主要性能 ,结合生产实践中发现的问题 ,对影响附着力的一些主要工艺因素进行了分析研究 ,力求获得最佳的工艺状态 ,提高DBC基片的质量 ,拓宽应用领域。

车用SiC半桥模块并联均流设计与试制

SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采用混合优化的均流方法设计并制作了一个多芯片并联的SiC半桥模块,其中,功率端子采用双端结构以减小寄生电感;栅极采用开尔文连接结构以提高芯片开关速度;对芯片位置进行优化使各并联回路的寄生电感尽可能均匀分布。在ANSYS Q3D中提取的主回路寄生电感为6.5 nH;在Simplorer中进行仿真,电流不均衡度小于3%。实物测试结果表明,主回路寄生电感为10 nH,电流不均衡度小于5%,验证了该车用SiC半桥模块并联均流设计的可行性。