期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
直接晶化法制备块状纳米材料的探索──Ⅰ脉冲电流作用下无序金属介质的成核理论
被引量:
51
1
作者
秦荣山
鄢红春
+1 位作者
何冠虎
周本濂
《材料研究学报》
CSCD
1995年第3期219-222,共4页
利用经典热力学和连续介质电动力学理论计算了脉冲电流作用下无序介质(包括金属熔体和非晶态金属)的成核率.结果表明:对于无序介质的晶化过程,随脉冲电流密度增加,形核率成指数增大;超短时脉冲有可能使熔体直接冷凝成大块纳米晶...
利用经典热力学和连续介质电动力学理论计算了脉冲电流作用下无序介质(包括金属熔体和非晶态金属)的成核率.结果表明:对于无序介质的晶化过程,随脉冲电流密度增加,形核率成指数增大;超短时脉冲有可能使熔体直接冷凝成大块纳米晶材料,并能限制已经形成的纳米晶粒的长大.
展开更多
关键词
直接晶化法
块状纳米材料
脉冲电流
形核率
下载PDF
职称材料
直接晶化法制备块状纳米材料的探索 Ⅱ脉冲电流作用下金属熔体结晶晶粒尺寸的理论估算
被引量:
22
2
作者
秦荣山
周本濂
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期69-72,共4页
利用物理替代方法计算出球形核的形状因子k1,推导出均质形核和无晶粒吞并时晶粒尺寸改变与电流密度的关系.计算了Pb、Sn、Cu、Fe、Al和Ni等纯金属用电流变技术直接制备块状纳米材料所需要的临界电流密度值.对Pb—Sn合金的计算表明本文...
利用物理替代方法计算出球形核的形状因子k1,推导出均质形核和无晶粒吞并时晶粒尺寸改变与电流密度的关系.计算了Pb、Sn、Cu、Fe、Al和Ni等纯金属用电流变技术直接制备块状纳米材料所需要的临界电流密度值.对Pb—Sn合金的计算表明本文的理论值与国外报导的实验结果基本一致.
展开更多
关键词
直接晶化法
块状
纳米材料
晶
粒尺寸
下载PDF
职称材料
单晶硅片上Silicalite-1沸石薄膜的合成
3
作者
高金成
刘婧
+3 位作者
杨梅
唐祯安
邹龙江
刘毅慧
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期551-551,共1页
关键词
单
晶
硅片
Silicalite-1沸石薄膜
合成
低温
化
学气相沉积
气相转移
二次生长
法
直接
原位
晶
化
法
原文传递
题名
直接晶化法制备块状纳米材料的探索──Ⅰ脉冲电流作用下无序金属介质的成核理论
被引量:
51
1
作者
秦荣山
鄢红春
何冠虎
周本濂
机构
中国科学院金属研究所
出处
《材料研究学报》
CSCD
1995年第3期219-222,共4页
文摘
利用经典热力学和连续介质电动力学理论计算了脉冲电流作用下无序介质(包括金属熔体和非晶态金属)的成核率.结果表明:对于无序介质的晶化过程,随脉冲电流密度增加,形核率成指数增大;超短时脉冲有可能使熔体直接冷凝成大块纳米晶材料,并能限制已经形成的纳米晶粒的长大.
关键词
直接晶化法
块状纳米材料
脉冲电流
形核率
Keywords
direct-nanocrystallizing method
bulk nanocrystalline material
clectropulsing
disordered metallic media
nucleation rate
分类号
O48 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
直接晶化法制备块状纳米材料的探索 Ⅱ脉冲电流作用下金属熔体结晶晶粒尺寸的理论估算
被引量:
22
2
作者
秦荣山
周本濂
机构
中国科学院金属研究所五室
中国科学院金属研究所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期69-72,共4页
基金
国家自然科学基金!59431040
文摘
利用物理替代方法计算出球形核的形状因子k1,推导出均质形核和无晶粒吞并时晶粒尺寸改变与电流密度的关系.计算了Pb、Sn、Cu、Fe、Al和Ni等纯金属用电流变技术直接制备块状纳米材料所需要的临界电流密度值.对Pb—Sn合金的计算表明本文的理论值与国外报导的实验结果基本一致.
关键词
直接晶化法
块状
纳米材料
晶
粒尺寸
Keywords
direct nanocrystallizing method bulk nanocrystalline material electropulsing grain size
分类号
O4 [理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
单晶硅片上Silicalite-1沸石薄膜的合成
3
作者
高金成
刘婧
杨梅
唐祯安
邹龙江
刘毅慧
机构
大连理工大学精细化工国家重点实验室
大连理工大学传感技术研究所
大连理工大学材料测试分析中心
出处
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期551-551,共1页
关键词
单
晶
硅片
Silicalite-1沸石薄膜
合成
低温
化
学气相沉积
气相转移
二次生长
法
直接
原位
晶
化
法
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直接晶化法制备块状纳米材料的探索──Ⅰ脉冲电流作用下无序金属介质的成核理论
秦荣山
鄢红春
何冠虎
周本濂
《材料研究学报》
CSCD
1995
51
下载PDF
职称材料
2
直接晶化法制备块状纳米材料的探索 Ⅱ脉冲电流作用下金属熔体结晶晶粒尺寸的理论估算
秦荣山
周本濂
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
22
下载PDF
职称材料
3
单晶硅片上Silicalite-1沸石薄膜的合成
高金成
刘婧
杨梅
唐祯安
邹龙江
刘毅慧
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部