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直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
1
作者
鄢细根
何火军
陈新安
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期113-117,128,共6页
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅...
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
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关键词
直接栅mosfet
静电场传感器
温度漂移
载流子浓度
载流子迁移率
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职称材料
题名
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
1
作者
鄢细根
何火军
陈新安
机构
华越微电子有限公司
绍兴文理学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期113-117,128,共6页
基金
东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金资助项目(2009-4)
文摘
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。
关键词
直接栅mosfet
静电场传感器
温度漂移
载流子浓度
载流子迁移率
Keywords
direct gate
mosfet
electrostatic field sensor
temperature drift
carrier concentration
carrier mobility
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
鄢细根
何火军
陈新安
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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