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二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用
被引量:
4
1
作者
许怀
程秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期657-660,共4页
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离...
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。
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关键词
二氧化铈
研磨液
浅沟
道
隔离
直接浅沟道隔离
化学机械平坦化
下载PDF
职称材料
题名
二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用
被引量:
4
1
作者
许怀
程秀兰
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期657-660,共4页
文摘
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。
关键词
二氧化铈
研磨液
浅沟
道
隔离
直接浅沟道隔离
化学机械平坦化
Keywords
CeO2
slurry
shallow trench isolation
direct STI
chemical mechanical planarization
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用
许怀
程秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
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