两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较

报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)

GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究(英文)

研究了用电子回旋共振 (ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (PEMOCVD)技术在 Si(0 0 1)衬底上 ,低温 (6 2 0～ 72 0℃ )下 Ga N薄膜的直接外延生长及晶相结构 .高分辨透射电镜 (HRTEM)和 X射线衍射 (XRD)结果表明 :在 Si(0 0 1)衬底上外延出了高度 c轴取向纤锌矿结构的 Ga N膜 ,但在 Ga N/ Si(0 0 1)界面处自然形成了一层非晶层 ,其两个表面平坦而陡峭 ,厚度均匀 (≈ 2 nm) .分析认为 ,在初始成核阶段 N与 Si之间反应所产生的这层 Six Ny非晶层使 Ga N的 β相没有形成 .XRD和原子力显微镜 (AFM)结果表明 ,衬底表面的原位氢等离子体清洗 ,Ga N初始成核及后续生长条件对 Ga

直接生长蓝宝石整流罩的方法研究

基于人工晶体的导模法生长技术,设计了提拉位移法和坩埚旋转法两种生长方法,分析了直接生长蓝宝石整流罩的生长原理,建立了晶体生长高度和生长半径的状态方程。结果表明,通过理论参数和实际采样值之间的对比调整,这两种方法均可实现蓝宝石整流罩的直接生长。

在［311］面上直接生长GaAs／AlAs的量子线结构及其光学性质

本文介绍在分子束外延系统中，沿［３１１］面原位生长ＧａＡｓ／ＡＩＡｓ量子线结构的一种简单方法及其拉曼和发光特性。这一方法能克服目前纳米尺度光刻技术的困难，因此，是一种制备低维样品的有希望的方法。

北大团队在玻璃表面实现石墨烯直接生长

北京大学一课题组利用化学气相沉积的方法．通过优化生长条件，在玻璃表面成功实现石墨烯的直接生长。

基于CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极

碳纳米管(CNT)场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点,在多种真空电子设备与器件上,包括平板显示器、真空测量、微波管、X射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主要制备方法以及存在的问题,介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳纳米管冷阴极所具有强附着力特点,以及应用在X射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在不锈钢基底直接生长CNT阴极的场发射性能,其开启电场为1.46 V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长的CNT阴极相比,大电流发射与稳定性显著提高。金属基底阳极化工艺显著改善碳纳米管结构与场发射性能。直径2 cm的不锈钢基底上生长的CNT具有晶体性好、分布均匀等特点,场发射性能提高。在镍基底上生长的CNT阴极电流密度可以达到500 mA/cm^2以上。

基于CVD直接生长的碳纳米管/MnO_2高效超级电容器研究

通过化学气相沉积(CVD)法在泡沫镍基底直接生长多壁碳纳米管(MWNTs),采用水热法在MWNT上原位沉积MnO_2,合成MnO_2-MWNT-Ni foam超级电容器复合电极。相比MnO_2-Ni foam电极,由于优越的结构和导电性能,MnO_2-MWNT-Ni foam复合电极有更好的电化学反应活性,电荷传递电阻从0.411Ω下降至0.054Ω。三电极系统下,MnO_2-MWNT-Ni foam复合结构的比电容为771.5 F/g,1 000个循环后的保持率为102.7%,展现了电容特性和循环稳定性。MnO_2-MWNT-Ni foam复合电极成本低、比电容大、功率密度和能量密度高、循环寿命长,在超级电容器和其他电池的制备中具有优势。

一种在碳纤维纸基底上直接生长碳纳米管阵列的方法

本发明公开了一种在碳纤维纸基底上直接生长高密度碳纳米管阵列的制备方法。所用方法为化学气相沉积法。首先制备含有铁（Fe）、钴（Co）、镍（Ni）元素的溶胶并涂覆在预处理后的碳纤维纸上。将所述形成有催化剂前驱体的碳纤维纸基底置于真空炉腔内，加热所述基底至第一温度并保持预定时间；在保护气体下，向反应炉内通入还原气体，对所述形成有催化剂前驱体的基底加热至第二温度并保持预定时间；

普通玻璃表面成功直接生长石墨烯

美国纽约州布鲁克海文国家实验室（Brookhaven National Laboratory;BNL）的科学家们发现一种更有效的掺杂机制,有助于在普通玻璃上直接生长石墨烯薄层。石墨烯是一种具有高迁移率的碳原子单层,科学家们已经针对微电子与光电组件开发出一种可扩展且低成本的工艺。石墨烯具有高导电性与透明度,

MALDI-TOF MS直接靶板微滴生长测定法在CRKP快速检测中的应用

目的探讨基于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)的直接靶板微滴生长测定(DOT-MGA)法快速筛查碳青霉烯类耐药肺炎克雷伯菌(CRKP)的准确性和临床应用价值。方法收集2020—2021年连云港市第一人民医院肺炎克雷伯菌临床分离株251株,其中美罗培南敏感123株,CRKP128株。采用DOT-MGA法对4和6μL 2种取样量的所有菌株进行美罗培南耐药性检测。采用微量肉汤稀释法测定菌株的美罗培南最小抑菌浓度(MIC)。以微量肉汤稀释法耐药性分析结果为标准,评价DOT-MGA法耐药性检测结果的准确性。结果以微量肉汤稀释法为标准,孵育生长4 h后,DOT-MGA法2种取样量的敏感性和阴性预测值均为100.0%,其中4μL取样量检测CRKP的特异性为92.5%,阳性预测值为92.8%;6μL取样量检测CRKP的特异性为89.8%,阳性预测值为90.1%。123株美罗培南敏感株的美罗培南MIC_(50)为0.125μg·mL^(-1),MIC_(90)为0.25μg·mL^(-1);128株美罗培南耐药株的MIC_(50)和MIC_(90)均为≥128μg·mL^(-1)。DOT-MGA法与微量肉汤稀释法的一致性分析结果显示,4μL加样量Kappa值为0.88,6μL加样量Kappa值为0.83。结论基于MALDITOF MS的DOT-MGA法筛查CRKP具有较高的准确性,且简便、快捷,可用于快速检测CRKP。

铝合金表面覆盖SiO_2直接氧化生长的反应机理

通过热力学计算和XRD分析,确定了Al-Mg-Si合金熔体与SiO_2表面覆盖剂反应的生成物相为Al_2O_3、Al、Si和MgAl_2O_4。直接金属氧化动力学实验表明,SiO_2 与熔体的接触反应加快了初期的传质过程,使微观传输通道始终处于活性状态,生成的 Al_2O_3 构筑了材料的初始骨架,Al_2O_3/Al 复合材料氧化生长的孕育期消失。

大尺寸Tm∶YAP复合激光晶体的生长与性能研究

采用感应加热提拉法,通过改进热场、更换原料、二次熔接生长,直接生长出了直径大于40 mm的Tm∶YAP/YAP复合晶体毛坯。复合晶坯等径部分YAP段长21 mm,Tm∶YAP段长44 mm,晶坯外观完整,具有良好的光学均匀性和均匀的应力分布。绿光激光和He-Ne激光照射下,晶坯复合界面无散射、无气泡。复合界面两侧干涉条纹基本连续,透过波前差异小。从复合晶坯上加工出了直径5 mm、总长30 mm、端头不掺杂YAP晶体长4 mm的单端Tm∶YAP复合晶体元件,其光学质量优异。在1940 nm固体激光器上采用激光二极管单端泵浦进行了激光性能测试,在泵浦注入功率为117.7 W条件下实现了42.8 W激光输出,输出功率、转换效率和光斑质量均优于非复合激光晶体。

直接作用抗病毒药物的抗丙型肝炎病毒作用及对患者血清血管内皮生长因子水平的影响

目的评估直接作用抗病毒药物(DAAs)治疗慢性基因1b型HCV感染患者的疗效和安全性,并分析其对患者血清VEGF水平的影响,评估DAAs治疗诱导肿瘤复发的风险因素。方法选取2012年12月至2016年1月至本院接受治疗的58例基因1b型慢性HCV患者,根据治疗方式的不同,将所有患者分为索菲布韦(SOF)+达卡他韦(DCV)组和SOF+雷迪帕韦(LDV)组。两组患者均接受DAAs无干扰素方案,药物为患者自购,疗程均为24周,随访24周。使用荧光定量PCR法检测定量HCV RNA,比较两组DAAs无干扰素方案的抗病毒作用,并统计两组患者治疗期间不良反应发生率。分别在治疗前、治疗后4周、结束治疗当天、持续病毒学应答(SVR)4和SVR12,采集研究组患者血清,使用Randox仪器精确分析治疗前后患者血清血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)水平变化。结果 SOF+DCV组SVR24率为96.7%,SOF+LDV组SVR24率96.4%,且无患者出现严重不良反应。治疗开始后4周时,两组患者血清VEGF水平较治疗前明显增加(P<0.05),且一直维持至治疗结束时;治疗结束后4周时降低至治疗前水平,而后较治疗前再次升高(P<0.05)。结论两组DAAs无干扰素方案治疗基因1b型慢性HCV感染均取得良好疗效,安全性较高。DAAs给药诱导患者血清VEGF水平显著增加,可能是DAAs治疗风险因素之一。

MALDI-TOF MS直接靶板微滴生长法对耐碳青霉烯类肠杆菌的快速鉴别诊断价值

目的:探讨基质辅助激光解析电离飞行时间质谱(matrix-assisted laser desorption ionization time-of-flight mass spectrometry,MALDI-TOF MS)直接靶板微滴生长法(direct-on-target microdroplet growth assay,DOT-MGA)对快速鉴别耐碳青霉烯类肠杆菌(carbapenem-resistant Enterobacteriaceae,CRE)的价值。方法:收集32株大肠埃希菌和28株肺炎克雷伯菌,将菌液与含有单种抗菌药物(亚胺培南、美罗培南或厄他培南)的肉汤在靶板上混合作为检测孔,与不加抗菌药物的肉汤混合作为生长对照孔,(35±1)℃分别孵育3 h、4 h、5 h和6 h后,根据VITEK MS系统能否成功鉴定靶板上的待测菌,判断其是否对碳青霉烯类药物耐药。采用微量肉汤稀释法检测菌株的最小抑菌浓度,与DOT-MGA结果进行比较。结果:肺炎克雷伯菌孵育至4 h时,生长对照有效率为92.9%,DOT-MGA检测3种碳青霉烯类药物的灵敏度、特异度、阳性预测值和阴性预测值均为100.0%。大肠埃希菌孵育至5 h时,生长对照有效率为100%,DOT-MGA检测亚胺培南、美罗培南和厄他培南的特异度及阳性预测值均为100.0%,灵敏度依次为85.0%、70.0%和95.0%,阴性预测值依次为80.0%、66.7%和92.3%。肺炎克雷伯菌DOT-MGA结果与微量肉汤稀释法完全一致(Kappa=1),大肠埃希菌则较好(厄他培南0.93,亚胺培南0.81)和一般(美罗培南0.64)。结论:MALDI-TOF MS鉴别CRE快速、准确、操作简便,特别是检测耐碳青霉烯类肺炎克雷伯菌的准确性高,可为临床早期的抗菌药物靶向精准治疗提供帮助。

介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展

六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体以其独特的结构、优异的性质以及广泛的应用前景引起了人们的普遍关注。高质量h-BN材料的制备是其性质研究与实际应用的前提。机械剥离的h-BN尺寸有限,普遍采用的化学气相沉积(CVD)技术通常以过渡金属为衬底,器件应用时需要将h-BN转移到其它衬底上。因此,在介质衬底上直接生长h-BN成为二维材料研究领域的一个重要发展方向。本文总结了近年来介质衬底(包括:Si基衬底、蓝宝石衬底和石英衬底等)上直接生长h-BN二维原子晶体的主要进展。人们采用CVD、金属有机气相外延法(MOVPE)、物理气相沉积法(PVD)等方法,通过提高生长温度、衬底表面处理、两步生长等工艺实现了介质衬底上直接生长h-BN。此外,还介绍了介质衬底上h-BN二维原子晶体的主要应用。

石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究

石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH_4和H_2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义。

纳米氧化锌生长研究获进展

中科院力学所科研人员利用气相沉积的方法，成功合成了多种形貌的微纳米ZnO材料，比如纳米线、纳米棒、纳米锥、四足纳米ZnO等，还实现了纳米ZnO在碳纳米管上的直接生长，并制备出多种独特形貌的ZnO微纳米材料，通过这种方法合成出来的材料具有很强的发光性能和催化活性。

中科院力学所：纳米氧化锌生长研究获进展

中科院力学所科研人员利用气相沉积的方法，成功合成了多种形貌的微纳米氧化锌（ZnO）材料，比如纳米线、纳米棒、纳米锥、四足纳米ZnO等，还实现了纳米ZnO在碳纳米管上的直接生长，并制备出多种独特形貌的ZnO微纳米材料，通过这种方法合成出来的材料具有很强的发光性能和催化活性。

彩色水晶生长

性能与用途:彩色水晶是人造合成宝石的重要部分,山于其色彩鲜艳,硬度适中而便于加工,颇受人们喜爱,可用它制作各种首饰,经济价值较高。彩色水晶的生长是在无色水晶的基础上,通过掺入不同的杂质,在高压溶液中直接生长出来,不退色、对人体无害。本项目投资少、见效快、适合于乡镇企业生产。生产条件和效益:可视资金多少而定,如投资8万元,可年产彩晶120公斤。