基于CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极

碳纳米管(CNT)场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点,在多种真空电子设备与器件上,包括平板显示器、真空测量、微波管、X射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主要制备方法以及存在的问题,介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳纳米管冷阴极所具有强附着力特点,以及应用在X射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在不锈钢基底直接生长CNT阴极的场发射性能,其开启电场为1.46 V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长的CNT阴极相比,大电流发射与稳定性显著提高。金属基底阳极化工艺显著改善碳纳米管结构与场发射性能。直径2 cm的不锈钢基底上生长的CNT具有晶体性好、分布均匀等特点,场发射性能提高。在镍基底上生长的CNT阴极电流密度可以达到500 mA/cm^2以上。

MALDI-TOF MS直接靶板微滴生长法对耐碳青霉烯类肠杆菌的快速鉴别诊断价值

目的:探讨基质辅助激光解析电离飞行时间质谱(matrix-assisted laser desorption ionization time-of-flight mass spectrometry,MALDI-TOF MS)直接靶板微滴生长法(direct-on-target microdroplet growth assay,DOT-MGA)对快速鉴别耐碳青霉烯类肠杆菌(carbapenem-resistant Enterobacteriaceae,CRE)的价值。方法:收集32株大肠埃希菌和28株肺炎克雷伯菌,将菌液与含有单种抗菌药物(亚胺培南、美罗培南或厄他培南)的肉汤在靶板上混合作为检测孔,与不加抗菌药物的肉汤混合作为生长对照孔,(35±1)℃分别孵育3 h、4 h、5 h和6 h后,根据VITEK MS系统能否成功鉴定靶板上的待测菌,判断其是否对碳青霉烯类药物耐药。采用微量肉汤稀释法检测菌株的最小抑菌浓度,与DOT-MGA结果进行比较。结果:肺炎克雷伯菌孵育至4 h时,生长对照有效率为92.9%,DOT-MGA检测3种碳青霉烯类药物的灵敏度、特异度、阳性预测值和阴性预测值均为100.0%。大肠埃希菌孵育至5 h时,生长对照有效率为100%,DOT-MGA检测亚胺培南、美罗培南和厄他培南的特异度及阳性预测值均为100.0%,灵敏度依次为85.0%、70.0%和95.0%,阴性预测值依次为80.0%、66.7%和92.3%。肺炎克雷伯菌DOT-MGA结果与微量肉汤稀释法完全一致(Kappa=1),大肠埃希菌则较好(厄他培南0.93,亚胺培南0.81)和一般(美罗培南0.64)。结论:MALDI-TOF MS鉴别CRE快速、准确、操作简便,特别是检测耐碳青霉烯类肺炎克雷伯菌的准确性高,可为临床早期的抗菌药物靶向精准治疗提供帮助。

MALDI-TOF MS快速检测血流感染大肠杆菌对第3代头孢菌素的药敏研究

目的评价基质辅助激光解析电离飞行时间质谱(matrix-assisted laser desorption ionization-time of flight,MALDI-TOF MS)直接靶板微滴生长法(direct-on-target microdroplet growth assay,DOT-MGA)快速检测血流感染大肠杆菌对第3代头孢菌素药敏实验的价值。方法收集血流感染大肠杆菌50株作为实验菌株。采用菌液与不同浓度头孢噻肟在靶板上混合作为检测孔,不加抗菌药物的菌液作为生长对照孔,孵育4h后,根据DOT-MGA法鉴定靶板上的待测菌,所对应检测孔位代表头孢噻肟最低抑菌浓度,并以微量肉汤稀释法作为比较。结果微量肉汤稀释法和DOT-MGA法检测大肠杆菌对头孢噻肟最低抑菌浓度基本一致率为96%,分类一致率为94%,较大偏差为2%,次要偏差为4%,未发现重大偏差,均在临床可接受范围内。结论MALDI-TOF MS结合DOT-MGA法能够短时间内准确提供大肠杆菌对第3代头孢菌素的药敏信息,为临床早期精准管理血流感染患者提供依据。

氧化物功能薄膜器件的柔性化策略

以可延展和可弯曲为特点的柔性电子器件因其在信息、医疗、能源等领域的巨大前景而受到众多研究者的广泛关注,成为近年来的研究热点。氧化物功能薄膜材料由于其丰富的电学/磁学/光学等性能及独特的多场耦合特性,成为物理学和材料学的重要研究对象,并被应用于各种电学/光学器件中。随着器件越来越多地应用于各种复杂曲面环境以及与人体或人体组织密切贴合,对氧化物薄膜器件可延展和可弯曲等柔性化的需求日益迫切。由于高质量氧化物薄膜的生长需要较高的温度,且对生长基底和薄膜之间的界面控制要求较高,因此,氧化物薄膜与可延展柔性基底的集成存在很大的挑战。将氧化物薄膜直接沉积在柔性金属箔片或高分子基底上,需要克服金属基底与薄膜界面控制困难或高分子基底对生长温度的耐受性差等困难。在刚性基底上沉积功能氧化物薄膜后,通过剥离、转印到可延展柔性基底上是一种解决方案。但其中的挑战在于如何可控地将薄膜完整地从生长基底剥离。针对这一挑战,发展了通过化学刻蚀牺牲层的化学转印技术和通过范德瓦尔斯外延或激光剥离的物理剥离方法。本文综述了近年来发展的氧化物薄膜器件柔性化的若干进展,归纳了以上几种主要的柔性化策略,包括在金属基底、高分子基底等柔性基底上直接生长和通过化学刻蚀和物理剥离转印等技术实现的柔性化,分析了几种柔性化策略的优势和局限性,总结了柔性氧化物薄膜器件制备中的挑战和机遇。

锂离子电池硅纳米线负极材料研究

采用涂膜法和直接生长成膜法分别制备两种硅纳米线电极.XRD、SEM和充放电曲线表征、观察和测定材料嵌锂状态过程的结构、形貌及电化学性能.与涂膜法相比,直接生长成膜法制备的硅纳米线电极具有较高的比容量、良好的循环寿命及较好的倍率性能;直接生长成膜法制备的硅纳米线电极,其嵌锂过程硅由晶态逐渐转变为非晶态,且其纳米线直径逐渐增大,但线状结构仍保持完好,进而防止了电极粉化和脱落.

热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

为了降低大直径 ＣＺＳｉ单晶生长过程中氧的引入，采用不同的热场，通过最优化方法，得到了适于大直径（１５４ｍｍ）晶体生长的热场温度分布，使熔体的纵向温度梯度下降，热对流减小。