黑磷烯制备与应用研究进展

黑磷烯因具有直接带隙和优异的电子迁移率等良好性能,成为一种备受关注的新型二维材料。概述了黑磷烯的制备方法,系统介绍了黑磷烯在场效应晶体管、光电元件、气体传感器及太阳能电池等领域的应用,分析了限制黑磷烯应用的主要因素。最后,展望了黑磷烯未来的发展趋势和应用前景。

GaAs极化电子源实验研究

对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究 ,着重采用 2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量 ,以达到最佳的激活状态 。

生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构

采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因应变，ＧａＰ原来简并的最低Ｘ点导带能级及价带顶（Γ点）能级发生分裂。随着Ｘ增大，分裂值变大。文中最后计算了价带能级到导带底跃迁的振子强度，对发光效率作了讨论。

以碲镉汞作1—1.3微米室温光二极管材料

新的应用对1—1.3微米波段的光二极管提出了严格的要求。本文讨论了碲镉汞合金的性能并叙述了最近的实验结果。