无制冷高速直调1.5μm AlGaInAs-InP DFB激光器

利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式(DFB)激光器。为提高器件调制速度,制作了2μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄生电容。室温条件下,DFB激光器典型阈值为15 mA,特征温度达88 K,边模抑制比大于50 dB,3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。