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金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响
1
作者
王军华
《中国材料科技与设备》
2006年第1期97-97,105,共2页
研究了射频溅射法制备的金属/半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析,发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材...
研究了射频溅射法制备的金属/半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析,发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的。
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关键词
颗粒膜
直接跌迁
间接跃
迁
局域态
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职称材料
题名
金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响
1
作者
王军华
机构
潍坊学院教育科学与技术系
出处
《中国材料科技与设备》
2006年第1期97-97,105,共2页
基金
潍坊学院自然科学基金资助项目(2004205)
文摘
研究了射频溅射法制备的金属/半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析,发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的。
关键词
颗粒膜
直接跌迁
间接跃
迁
局域态
Keywords
Granular film
Direct transition
Indirect transition
Localized state
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
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1
金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响
王军华
《中国材料科技与设备》
2006
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