直接还原碳化法制备纳米复合WC-Co粉末

用直接还原碳化法制备了纳米复合WC-Co粉末.根据X射线衍射图研究了直接还原碳化温度及时间对反应产物的影响,用扫描电镜观察了粉末颗粒形貌和粒度分布.结果表明:用直接还原碳化法在950℃碳化4h可以得到100～300nm、无η相的WC-Co复合粉末,该法具有碳化温度低、碳含量容易控制、适合工业化生产的优点.

直接还原碳化法制备超细碳化钨粉的工艺研究

采用三氧化钨直接还原碳化法制备超细碳化钨粉,研究了碳化温度,碳化时间及配碳量等工艺参数对合成产物的物相和颗粒形貌的影响,并对反应机理进行了探讨。结果表明,在氮气气氛下,采用直接还原碳化法制备超细碳化钨粉的最佳工艺参数为:碳化温度1200℃,碳化时间3h,配碳量0.21。

直接还原碳化法制备超细WC粉体研究

采用直接还原碳化法,以偏钨酸铵(AMT)和炭黑为原材料,在N2气氛中制备出超细WC粉末。对不同温度下反应产物进行XRD、SEM以及化学成分分析,结果显示:含钨相逐步由AMT向WO3,WO2.72,W,W2C转变并最终生成完全渗碳的WC粉末;1 150℃下反应2 h可得到化合碳含量为6.09%的超细WC粉末,粒度为0.3μm,比表面积为2.285 m2/g。对反应过程及机理进行了分析探讨,结果表明:碳化温度应高于981 K,反应产生CO,降低CO分压有利于碳化反应的进行。

化学沉淀法制备超细WC-Co复合粉的研究

以钨酸铵和硝酸钴为原料,经化学沉淀后煅烧,然后在真空气氛下直接还原碳化制得超细WC-Co复合粉。考察了化学沉淀过程中料液浓度、反应温度和反应后母液的pH值等因素对所得前驱体氧化物粒度及收率的影响。用XRD和扫描电镜对所得超细WC-Co复合粉进行了分析和观察。结果表明,采用这种方法可以制取形貌规则,分散性良好的超细WC-Co复合粉,并且此法原料成本低,工艺简单,过程易控。

钴-抑制剂超细复合粉末的制备

以氧化钴(Co3O4)、过渡金属氧化物(V2O5、Ta2O5、MoO3、TiO2)和碳粉(C)为原料,用真空直接还原碳化技术制备了应用于硬质合金的钴-抑制剂(Co-VC、Co-TaC、Co-Mo2C、Co-TiC)超细复合粉末。用XRD分析了不同反应温度和时间下生成物的相组成,用SEM观察了复合粉末的形貌。结果表明:直接还原碳化技术能使钴-抑制剂超细复合粉末在较低温度下合成,钴的添加能有效降低过渡金属氧化物的碳化温度。通过对比实验和热力学探讨了低温碳化的机理。