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蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应(英文)
被引量:
2
1
作者
孙雷
杜刚
+1 位作者
刘晓彦
韩汝琦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1364-1368,共5页
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应 .模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属 -半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态 .分析模拟结果可知 ,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用 .同时还模拟了引入肖特基效应后 ,SBD...
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应 .模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属 -半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态 .分析模拟结果可知 ,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用 .同时还模拟了引入肖特基效应后 ,SBD的工作特性 ,验证了模拟使用的物理模型 .得到了与理论计算值符合的模拟结果 .分析模拟结果表明 ,由于肖特基效应形成的金属 -半导体接触势垒的降低 ,会在很大程度上影响金属
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关键词
蒙特卡罗法
金属-半导体接触
直接隧穿效应
Schottky
效应
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职称材料
题名
蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应(英文)
被引量:
2
1
作者
孙雷
杜刚
刘晓彦
韩汝琦
机构
北京大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1364-1368,共5页
文摘
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应 .模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属 -半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态 .分析模拟结果可知 ,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用 .同时还模拟了引入肖特基效应后 ,SBD的工作特性 ,验证了模拟使用的物理模型 .得到了与理论计算值符合的模拟结果 .分析模拟结果表明 ,由于肖特基效应形成的金属 -半导体接触势垒的降低 ,会在很大程度上影响金属
关键词
蒙特卡罗法
金属-半导体接触
直接隧穿效应
Schottky
效应
Keywords
Monte Carlo device simulation
metal semiconductor contact
direct tunneling
Schottky effect
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应(英文)
孙雷
杜刚
刘晓彦
韩汝琦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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职称材料
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