脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究

采用准分子脉冲激光 ,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜 ,利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )和光致发光光谱 (PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能 .研究表明 :沉积温度影响GaN薄膜结构和光学性能 ,黄带发射峰主要与晶体缺陷有关 在 4 0 0～ 70 0℃沉积范围内随着温度升高 。