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SiGe HBT直流特性模型研究
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作者 戴显英 张鹤鸣 +3 位作者 胡辉勇 吕懿 王伟 李开成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期165-169,共5页
在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGeHBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGeHBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,... 在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGeHBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGeHBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGeHBT的电流增益.模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注入电流,获得更高的电流增益. 展开更多
关键词 SIGE HBT 直流特性模型 漂移扩散方程 电流密度模型
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