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GaAs MESFET直流特性退化的失效分析
1
作者
费庆宇
来萍
《电子产品可靠性与环境试验》
1995年第6期25-29,共5页
GaAs MESFET直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化。笔者用结构敏感参数电测法和C-V法进行失效定位和失效分析,为上述失效原因提供了证据。
关键词
砷化镓
MESFET
直流特性退化
失效分析
下载PDF
职称材料
题名
GaAs MESFET直流特性退化的失效分析
1
作者
费庆宇
来萍
机构
电子部五所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1995年第6期25-29,共5页
文摘
GaAs MESFET直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化。笔者用结构敏感参数电测法和C-V法进行失效定位和失效分析,为上述失效原因提供了证据。
关键词
砷化镓
MESFET
直流特性退化
失效分析
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
GaAs MESFET直流特性退化的失效分析
费庆宇
来萍
《电子产品可靠性与环境试验》
1995
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