直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅。用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响。氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多孔硅的形成。电流密度(J)增大,多孔硅的孔隙率和孔径随之变大,而其纳米粒径将变小。腐蚀时间(t)越长,孔径越大,孔越深。

多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究

采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70～90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.

磁力显微镜中镍针尖的制备

讨论了磁力显微镜中的镍针尖的制备技术 ;并通过改进以往采用直流电化学腐蚀方法制备针尖的电路 ,可以在金属丝被腐蚀断裂瞬间获得更短的腐蚀电流切断时间 .当腐针电路切断时间减少到 2 0 0ns时 ,可重复获得半径优于 10nm的镍针尖 .