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半“V”字形铁电液晶器件的制备
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作者 李静 邹忠飞 +1 位作者 唐先柱 宣丽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期225-229,共5页
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能... 实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs. 展开更多
关键词 N^*-Sc^*序列相铁电液晶 直流电压强度 半“V”字形 铁电液晶分子偏转角
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