磁控溅射低温制备高电导高透明氢掺杂薄膜

通过分析直流磁控溅射技术低温制备高电导和高透明的氢掺杂AZO薄膜实验,明确了溅射技术对于低温制备AZO薄膜的重要作用。由此可以证明,引入适量氢气,有利于提升AZO薄膜的电阻率。

铝过渡层沉积CVD金刚石涂层的研究

使用Murakami溶液和王水预处理高钴硬质合金刀片,并用直流磁控溅射(DCS)技术在此硬质合金上溅射铝过渡层,在热丝化学气相沉积(HFCVD)设备里沉积金刚石薄膜;分析了金刚石形核机理,并利用SEM以及Raman等方法表征试样。结果表明:与未溅射过渡层的样品相比,在过渡层上的金刚石形核密度更高,金刚石颗粒尺寸更加细小。

铜合金自形成阻挡层制备及其性能研究

随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。

基于玻璃基底的TiO_2自清洁减反射薄膜的研究

采用直流磁控溅射(DMS)技术和能量过滤磁控溅射(EFMS)技术在玻璃基底上制备了TiO_2薄膜。用TFC膜系设计软件优化设计了单层和双层减反射薄膜,确定制备工艺参数,根据优化结果分别制备了TiO_2构成的单层和双层薄膜。利用SEM、椭偏仪、接触角测定仪和光催化测试系统对薄膜进行了表征和测试。实验结果表明:优化设计的膜层都具有良好的减反射性能,单层和双层薄膜在400~800 nm的平均透射率分别为0.845和0.891。氙灯照射30 min后接触角从61.5°变为28°和8°,后者具有超亲水性。紫外光照下对RhB的降解速率分别为-0.0019min^(-1)和-0.0034 min^(-1),具有良好的自清洁性能。单层和双层TiO_2薄膜具有自清洁和减反射性能。由高低折射率匹配组成的双层薄膜有较平滑的曲线,光催化降降解性能和亲水性较好。