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铁离子对高纯铝箔直流腐蚀行为的影响 被引量:3
1
作者 孙贤 程金科 《铝加工》 CAS 2017年第4期46-49,共4页
采用盐酸-硫酸直流腐蚀体系,分别探讨了三价铁、二价铁以及它们的混合添加对铝箔腐蚀的影响。结果表明,三价铁加入时,对铝箔点蚀有较小的影响。二价铁加入时,点蚀密度有一定的增大,但不均匀。三价铁和二价铁同时加入时,由于三价铁离子... 采用盐酸-硫酸直流腐蚀体系,分别探讨了三价铁、二价铁以及它们的混合添加对铝箔腐蚀的影响。结果表明,三价铁加入时,对铝箔点蚀有较小的影响。二价铁加入时,点蚀密度有一定的增大,但不均匀。三价铁和二价铁同时加入时,由于三价铁离子的存在,两者形成竞争关系,蚀孔密度显得均匀。三价铁、二价铁的混合加入能改善铝箔腐蚀形貌,产生密集均匀的腐蚀孔,增大比容。 展开更多
关键词 铝箔 直流腐蚀 铁离子 点蚀 比容
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扩孔液中Cu2+离子对高压铝箔直流腐蚀的影响 被引量:10
2
作者 何凤荣 余凯 +2 位作者 张霞 向云刚 肖远龙 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期66-70,76,共6页
采用极化曲线、扫描电子显微镜(SEM)和电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)研究了铝箔在含 Cu^2+的 HNO3扩孔液中电化学腐蚀行为,同时考察了扩孔液中添加DCTA对Cu^2+的络合缓解效果。结果表明, HNO3扩孔液中添加Cu2+后,由于形成了 Cu-Al 原电... 采用极化曲线、扫描电子显微镜(SEM)和电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)研究了铝箔在含 Cu^2+的 HNO3扩孔液中电化学腐蚀行为,同时考察了扩孔液中添加DCTA对Cu^2+的络合缓解效果。结果表明, HNO3扩孔液中添加Cu2+后,由于形成了 Cu-Al 原电池,自腐蚀电位明显正移,自腐蚀电流也增加;过多的 Cu^2+会减小隧道孔平均长度,但显著增大孔径,导致并孔发生。腐蚀箔520V比容随着Cu^2+含量的增加,先保持不变后显著减小,扩孔液中Cu2+质量浓度应控制在0.70ppm以下。另外,在含Cu^2+的扩孔液中引入络合剂DCTA,不能缓解Cu2+的不利影响,反而会劣化腐蚀箔性能。 展开更多
关键词 高压铝箔 极化曲线 Cu^2+离子 比电容 直流腐蚀 扩孔
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阳极铝箔直流腐蚀扩面概述
3
作者 王兰东 《新疆有色金属》 2003年第S1期56-58,共3页
介绍了阳极铝箔直流腐蚀在我国的发展和研究现状,讨论了腐蚀工艺控制的几个重要参数,对影响腐蚀扩面率的因素进行分析,得出了阳极铝箔直流腐蚀的必要条件,形成了一些阳极铝箔直流腐蚀扩面机理的理论认识,为寻找和确定增大腐蚀扩面率的... 介绍了阳极铝箔直流腐蚀在我国的发展和研究现状,讨论了腐蚀工艺控制的几个重要参数,对影响腐蚀扩面率的因素进行分析,得出了阳极铝箔直流腐蚀的必要条件,形成了一些阳极铝箔直流腐蚀扩面机理的理论认识,为寻找和确定增大腐蚀扩面率的方法奠定了一定的理论基础。另外,介绍了腐蚀扩面率的理论研究情况,得出中低压阳极铝箔腐蚀扩面率还有一定的提高余地。 展开更多
关键词 阳极铝箔 直流腐蚀 腐蚀扩面率
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混凝土中钢筋受外直流电腐蚀对其强度影响的试验研究 被引量:7
4
作者 周晓军 高波 +1 位作者 郭建国 丁复华 《地铁与轻轨》 2001年第4期17-23,共7页
本文通过电腐蚀的模拟试验和试件的强度试验,对混凝土结构中钢筋在电蚀作用下结构强度的影响,进行了比较全面的分析研究。根据国内外经验,对迷流设防还是必要的。在有效的迷流防护设施的作用下,钢筋中的杂散电流对钢筋的腐蚀可基本上被... 本文通过电腐蚀的模拟试验和试件的强度试验,对混凝土结构中钢筋在电蚀作用下结构强度的影响,进行了比较全面的分析研究。根据国内外经验,对迷流设防还是必要的。在有效的迷流防护设施的作用下,钢筋中的杂散电流对钢筋的腐蚀可基本上被防止。本文所作试验的结果,也正说明了迷流防护的必要性。我国建设的地铁,也都采取了相应的措施,当然,这些措施还是不够完善的。因而当前如何在对原有设施加强维护、监测的同时,研究、开发更为完善和有效的迷流防护措施也是十分必要的。 杂散电流腐蚀防护的目的,对主体结构来说即是要防止因电腐蚀引起的钢筋氧化对结构的破坏影响,严重的可导致混凝土膨胀破裂,为此防护要求严格按钢筋允许的腐蚀量来控制,监测的目的亦在于此,因此对杂散电流腐蚀的研究首先要确定,可能的加载电压和可能产生的杂散电流(涉及回路中过渡电阻值的大小)在正常运行与故障运行状态下分别测定,腐蚀量的大小与通过的电量和处于腐蚀状态钢筋的面积有关。报告仅作了一般试件的试验,只是验证了腐蚀程度不同对钢筋混凝土强度的影响。 展开更多
关键词 混凝土 钢筋 直流腐蚀 强度 试验研究 地铁迷流 地下铁道
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直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
5
作者 李志全 乔淑欣 +2 位作者 蔡亚楠 滕峰成 张乐欣 《理化检验(物理分册)》 CAS 2006年第8期392-395,共4页
采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅。用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响。氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多孔硅的形成。电流密度(J)增大,多孔硅的孔隙率和孔径随之变大... 采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅。用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响。氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多孔硅的形成。电流密度(J)增大,多孔硅的孔隙率和孔径随之变大,而其纳米粒径将变小。腐蚀时间(t)越长,孔径越大,孔越深。 展开更多
关键词 直流电化学腐蚀 正交实验 多孔硅 表面形貌
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含水量与直流干扰电流密度对紫铜在宝鸡土壤中初期腐蚀行为的影响 被引量:2
6
作者 张燕涛 房本岭 +7 位作者 丁德 杜翠薇 刘磊 曹备 刘智勇 海潮 张黎 李军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期131-137,共7页
目的研究直流干扰下紫铜在宝鸡实地取土中的腐蚀行为,讨论含水量和电流密度对紫铜土壤腐蚀行为的影响,为不同工作环境下紫铜接地材料的适用性提供相应的数据支持。方法采用动电位扫描的快速评价方法与埋片失重试验相结合,测试了不同含... 目的研究直流干扰下紫铜在宝鸡实地取土中的腐蚀行为,讨论含水量和电流密度对紫铜土壤腐蚀行为的影响,为不同工作环境下紫铜接地材料的适用性提供相应的数据支持。方法采用动电位扫描的快速评价方法与埋片失重试验相结合,测试了不同含水量与直流干扰条件下紫铜在宝鸡土壤中的腐蚀速率,采用扫描电镜、激光共聚焦显微镜与拉曼光谱对腐蚀产物及其形貌进行了表征。结果随着土壤含水量的增加,Cu的腐蚀速率增大,并且在含水量为25%时达到最大,之后腐蚀速率逐渐降低;在含水量为15%的土壤介质中,铜会发生局部腐蚀,含水量高于20%时发生非均匀的全面腐蚀。随着直流干扰电流密度的增大,Cu的腐蚀程度逐渐增强,点蚀坑密度逐渐增大并分布越来越均匀,当电流密度增大到3 mA/cm^2时,Cu表面点蚀坑深度增大逐渐减缓,并相互连接成片;在较低电流密度下,Cu试样表面的腐蚀产物为Cu_2O和Cu_2(OH)_2CO_3,随着电流密度的增大,Cu_2(OH)_2CO_3逐渐减少,腐蚀产物主要为Cu_2O和Cu O。结论土壤含水量会极大地影响Cu的腐蚀形态和腐蚀程度,在含水量为某一临界值时,Cu的腐蚀速率达到最大。直流干扰促进了紫铜在宝鸡土壤中的腐蚀,并且会影响腐蚀产物的组成。 展开更多
关键词 腐蚀 含水量 电流密度 土壤腐蚀 直流 直流干扰腐蚀
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腐蚀条件对高纯铝箔直流电解腐蚀的影响 被引量:1
7
作者 孟亚秋 《安徽化工》 CAS 2005年第4期36-37,共2页
研究了直流电腐蚀对电解电容器阳极铝箔比容的影响。结果表明,中高压箔腐蚀发孔液用盐酸与硫酸混合液有利于腐蚀箔获得较高的比容值。
关键词 直流腐蚀 铝箔 比容 阳极材料 电化学腐蚀条件 硫酸 静电容量
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铝电解电容器用铝箔发孔腐蚀工艺的研究 被引量:12
8
作者 杜海燕 梁晓鹏 +2 位作者 徐晶 柴敏平 邓顺 《有色金属科学与工程》 CAS 2012年第1期27-31,共5页
采用电化学方法,找到了阳极发孔腐蚀的影响因素.采用正交实验,研究了HCl+H2SO4体系中腐蚀液组成、腐蚀电流密度、腐蚀温度以及腐蚀时间对铝箔性能的影响.结果表明:当选取ψ(HCl∶H2SO4)为1∶3,电流密度为0.25 A/cm2,腐蚀温度为70℃,腐... 采用电化学方法,找到了阳极发孔腐蚀的影响因素.采用正交实验,研究了HCl+H2SO4体系中腐蚀液组成、腐蚀电流密度、腐蚀温度以及腐蚀时间对铝箔性能的影响.结果表明:当选取ψ(HCl∶H2SO4)为1∶3,电流密度为0.25 A/cm2,腐蚀温度为70℃,腐蚀时间为105 s时,可以获得较优比容的腐蚀箔,比容值为110.8μf/cm2,为铝箔腐蚀的研究提供了一定的科学依据. 展开更多
关键词 铝电解电容器 腐蚀 直流腐蚀工艺
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电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅 被引量:1
9
作者 朱会丽 尹延锋 +1 位作者 兰燕娜 莫育俊 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第2期47-49,共3页
采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位... 采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位有明显.的蓝移现象.同时我们还发现多孔硅样品的尺寸越小其能带越宽,由此得出多孔硅样品的发光现象符合量子限域解释的多孔硅的发光机制. 展开更多
关键词 多孔硅 脉冲腐蚀 荧光 直流腐蚀 电镜
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特高压电容器用电极箔腐蚀工艺的研究 被引量:11
10
作者 迟慧 洪涛 邹道兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期58-61,共4页
通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700~1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化... 通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700~1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化:孔密度为0.116个/μm2,孔径为2.02μm,比容达到0.210×10–6F/cm2。 展开更多
关键词 特高压 电容器 铝电极箔 直流腐蚀工艺
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青铜文物缓蚀剂效率及封护剂抗腐蚀能力的比较研究 被引量:6
11
作者 陈淑英 张然 柳敏 《文物保护与考古科学》 CSSCI 北大核心 2013年第4期46-53,共8页
为评价青铜文物缓蚀剂效率及封护剂搞腐蚀能力进行了两项电化学实验。一是利用直流腐蚀的极化电阻法对缓蚀效率评价,二是应用恒电位交流阻抗法对涂层的抗腐蚀效率评价。实验表明,复合缓蚀剂的缓蚀效率优于单一缓蚀剂如AMT、BTA,在模拟... 为评价青铜文物缓蚀剂效率及封护剂搞腐蚀能力进行了两项电化学实验。一是利用直流腐蚀的极化电阻法对缓蚀效率评价,二是应用恒电位交流阻抗法对涂层的抗腐蚀效率评价。实验表明,复合缓蚀剂的缓蚀效率优于单一缓蚀剂如AMT、BTA,在模拟中性土壤介质的水溶液中各自缓蚀效率分别为88.7%、94.6%,两者组成复合缓蚀剂后其缓蚀效益高达98.8%,这是发挥其缓蚀剂各组分的协同效应的结果。应用恒电位交流阻抗实验,可以更好地理解附着有封护层时复杂的腐蚀过程。结果表明,石蜡涂层样品的Nyquist谱图出现扩散过程引起的阻抗特征;聚乙烯醇缩丁醛涂层、Paraloid B-72涂层、空白样(缓蚀层BTA)三种样品Nyquist谱图均是由于涂层微孔引起的阻抗特征,在同一浓度下其抗腐蚀性能排序呈依次递减趋势。 展开更多
关键词 电化学方法 直流腐蚀 Tafel曲线 交流阻抗
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铝电解电容器用阳极箔扩面腐蚀技术概述
12
作者 陈嘉庚 《新疆有色金属》 2013年第A01期146-147,149,共3页
概述了铝电解电容器用阳极箔扩面腐蚀技术的内容;研究了化学腐蚀和电解腐蚀的机理。
关键词 阳极箔 直流腐蚀 交流腐蚀
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腐蚀条件及稀土含量对铝箔腐蚀形貌和比电容的影响 被引量:1
13
作者 许贺龙 李文学 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2010年第1期29-33,共5页
以0.11 mm厚的不同Ce含量的稀土铝箔和高纯铝箔为研究对象,依次经过抛光前处理、电解抛光、直流电解腐蚀、腐蚀后处理及腐蚀比电容测试和腐蚀形貌观察.结果表明,外加电流、腐蚀液成分和温度以及腐蚀时间是影响铝箔直流电解腐蚀的主要外... 以0.11 mm厚的不同Ce含量的稀土铝箔和高纯铝箔为研究对象,依次经过抛光前处理、电解抛光、直流电解腐蚀、腐蚀后处理及腐蚀比电容测试和腐蚀形貌观察.结果表明,外加电流、腐蚀液成分和温度以及腐蚀时间是影响铝箔直流电解腐蚀的主要外界因素.在相同外界条件下,Ce含量在一定量范围内,随着Ce含量的增加,腐蚀铝箔的腐蚀坑孔径减小、密度增大、深度加深.添加适量Ce的稀土铝箔的腐蚀比电容值比高纯铝箔的也相应偏高.而且,不同Ce含量的稀土铝箔能获取最大腐蚀比电容的腐蚀工艺也有所不同. 展开更多
关键词 铝箔 直流电解腐蚀 腐蚀形貌 比电容
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杂散电流对长输管道腐蚀的探讨与防护 被引量:2
14
作者 闫明龙 吕永林 周翔宇 《当代化工》 CAS 2013年第12期1737-1738,共2页
对金属管道腐蚀的原理进行了论述,并专门就电解腐蚀对长输管道所产生的影响进行了研究讨论。电解腐蚀分为交流电腐蚀和直流电腐蚀且直流电腐蚀更为严重;交流电与管道距离超过1 000 m时则不需要考虑防护措施;当交流电密度值大于100时,则... 对金属管道腐蚀的原理进行了论述,并专门就电解腐蚀对长输管道所产生的影响进行了研究讨论。电解腐蚀分为交流电腐蚀和直流电腐蚀且直流电腐蚀更为严重;交流电与管道距离超过1 000 m时则不需要考虑防护措施;当交流电密度值大于100时,则必须采取防护措施;当交流电密度值小于30时则一定不用考虑防护措施;直流电附近的管道周围土壤电位梯度大于2.5 mV/m时,应采取直流排流保护措施。 展开更多
关键词 腐蚀 管道 杂散电流 直流腐蚀 交流电腐蚀
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高压直流输电均压电极结垢的解析与改进 被引量:4
15
作者 李道豫 王圣平 +2 位作者 冯文昕 周培 吕刚 《电气工程学报》 2019年第1期26-29,共4页
高压直流输电工程内冷水系统钳均压电极的结垢和铝散热器的腐蚀,严重影响输电的正常运行。为解决这一难题,根据一个阀段内均压电极、散热器的相对位置构建了部分电容模型,分析了腐蚀溶解、结垢等过程的行为特征,阐明了现场不同运行工况... 高压直流输电工程内冷水系统钳均压电极的结垢和铝散热器的腐蚀,严重影响输电的正常运行。为解决这一难题,根据一个阀段内均压电极、散热器的相对位置构建了部分电容模型,分析了腐蚀溶解、结垢等过程的行为特征,阐明了现场不同运行工况下的均压电极结垢、散热器腐蚀的成因和影响机制,得出降低均压电极表面A产浓度是解决结垢难题的根源。结合实际生产提出了减缓均压电极结垢、散热器腐蚀的技术改造思路,对提升高压直流输电工程阀冷系统运行的可靠性具有指导意义。 展开更多
关键词 均压电极 结垢 散热器 腐蚀:高压直流输电
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制备扫描隧道显微镜针尖的电路设计
16
作者 郭宝会 《渭南师范学院学报》 2012年第6期29-32,共4页
为了获得质量较好,经济实惠的扫描隧道显微镜针尖,设计了利用电化学腐蚀法制备针尖的控制电路.该电路包括直流腐蚀控制电路和交流腐蚀控制电路,以及利用比较器实现直流控制电路向交流电路跳转的控制电路.经过计算机仿真实验表明随着腐... 为了获得质量较好,经济实惠的扫描隧道显微镜针尖,设计了利用电化学腐蚀法制备针尖的控制电路.该电路包括直流腐蚀控制电路和交流腐蚀控制电路,以及利用比较器实现直流控制电路向交流电路跳转的控制电路.经过计算机仿真实验表明随着腐蚀进行,预设实际电压大于预设参考电压时,可以实现比较器反转和交流腐蚀,达到预设的功能,说明该控制电路可以制备理想的扫描隧道显微镜所用的钨针尖. 展开更多
关键词 针尖 电化学腐蚀 直流腐蚀 交流腐蚀 扫描隧道显微镜
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埋地管道直流干扰腐蚀研究—Ⅰ检测指标和评价体系 被引量:9
17
作者 翁永基 李英义 +1 位作者 韩昌柴 李相怡 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-3,共3页
根据理论分析和实验验证,提出三种新的检测理地管道直流干扰腐蚀指标,并建立埋地管道直流干扰腐蚀的评价体系.
关键词 埋地管道 直流干扰腐蚀 检测指标 评价体系 计算公式
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埋地管道直流干扰腐蚀研究Ⅱ—地表电位梯度检测 被引量:9
18
作者 翁永基 李英义 +1 位作者 李相怡 韩昌柴 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期98-100,共3页
地表电位梯度指标容易检测,但根据现有标准难以获得管道杂散干扰腐蚀的有用信息.本文采用新的方法测量电位梯度,并根据测量数据,解析出二种电流成分:地表干扰电流和流入(出)管道的电流;后者和实际杂散干扰腐蚀有良好相关,电流流出管道... 地表电位梯度指标容易检测,但根据现有标准难以获得管道杂散干扰腐蚀的有用信息.本文采用新的方法测量电位梯度,并根据测量数据,解析出二种电流成分:地表干扰电流和流入(出)管道的电流;后者和实际杂散干扰腐蚀有良好相关,电流流出管道的位置代表阴极保护管道的腐蚀活性点. 展开更多
关键词 埋地管道 直流干扰腐蚀 地表电位梯度 数学分析 腐蚀活性点
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铝阳极箔点蚀扩面机制及影响因素的研究进展 被引量:1
19
作者 王天鹏 胡斌 +2 位作者 马坤松 朱德秋 张淮浩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期57-63,共7页
概述了铝阳极箔点蚀萌生的机制研究,阐述了直流电解腐蚀过程中高纯铝的性质(微量元素和立方织构)、电解液参数(氯离子浓度、硫酸根离子浓度、温度和缓蚀剂)以及外加极化电流等因素对铝箔点蚀萌生、蚀孔生长及增容的影响研究进展。
关键词 铝箔 点蚀机理 直流电解腐蚀 点蚀萌生 蚀孔生长
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多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究
20
作者 刘小兵 史向华 +4 位作者 柳毅 柳玥 王行军 丁训民 侯晓远 《长沙电力学院学报(自然科学版)》 2003年第3期67-69,共3页
采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法... 采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70~90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的. 展开更多
关键词 多孔硅薄膜 纵向分辨Raman谱 Raman效应 脉冲电化学腐蚀 直流电化学腐蚀 发光机理
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