直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术 ,在 Si(111)衬底上生长了 Ga N薄膜 .XRD、AFM、PL 和 Hall测量的结果表明在 2～ 2 0 Pa沉积气压范围内 ,提高沉积气压有利提高 Ga N薄膜的结晶质量 ;在 15 0～ 2 2 0 m J/ Pluse入射激光脉冲强度范围内 ,随着入射激光脉冲强度的提高 ,Ga N薄膜表面结构得到改善 .研究发现 ,在 70 0℃衬底温度、2 0 Pa的沉积气压和 2 2 0 m J/ Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下 ,所沉积生长的 Ga N薄膜具有良好的结构质量和光电性能 .