MEMS铜基微同轴传输线性能仿真及测试

研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统。设计了特性阻抗为50Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC^110 GHz内低于1.15。且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB。采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC^40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统。

一种用于氮化镓晶体管建模的TRL校准方法

直通-反射-延迟线(TRL)校准相对于短路-开路-负载-直通(SOLT)校准是一种更加准确且易于实现的校准方法,尤其适用于二端口及多端口的非同轴测量。文中针对Wolfspeed公司的氮化镓晶体管CGH40010F的S参数测量问题,分析讨论了TRL校准在网络分析仪中的误差盒模型,在此基础上设计制作了一套TRL校准件,其工作频率范围为1~6 GHz,在此频段内直通和延迟线均达到S_(ii)(i=1,2)幅值小于-15 dB,S_(ij)(i,j=1,2;i≠j)幅值大于-0.8 dB;将该校准件特性指标内置到矢量网络分析仪中进行校准测试,实测结果表明,经过TRL校准后的氮化镓晶体管小信号S参数与官方数据手册中一致,验证了该校准测量方法及据此设计制作的TRL校准件是有效的。

金属真空罐环境下微波测量的校准与实验

介绍了在金属真空罐特殊的实验环境下,微波矢量网络分析仪单端口校准和双端口校准的实现,具体描述了在现有的实验室仪器条件下如何用双端口TRM校准方法来消除系统误差。文中讨论了几种测量方案的可行性,给出了不同校准方法测量结果的比较,并利用校准后的系统测量了电磁波在等离子体中的传输特性。

一种用于大信号测试的矢量校准快速修正方法

大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法为基础,对校准过程中的误差系数随时间变化的趋势进行了数据分析,提出了一种可以实时快速修正校准模型中误差系数的方法。采用这种方法,失效的校准状态可以在1 min内得到快速修正而恢复初始校准状态;矢量校准的时间稳定度与传统方法相比,可延长10倍以上。该方法有力地保证了大信号测试中数据的一致性,可广泛应用于器件建模和电路设计等领域。