多壁纳米碳管中的AAS效应研究

分析研究了多壁纳米碳管中的AAS效应.通过给出多壁纳米碳管中电子的多圈(通道)分波波函数的量子干涉模型,在AAS理论的框架下推出了多壁纳米碳管磁电阻的解析表达式.研究还发现由于多壁纳米碳管壁间的相互作用,多壁纳米碳管中电子的输运性质是扩散型的,存在着一个确定的相位相干长度.有限的相位相干长度用在磁电阻公式中可以解释最新的几个多壁纳米碳管中的磁电阻实验,如典型的负磁阻效应、磁电阻随外加磁场的高阶周期震荡等.

介观体系的物理特性

概述了介观体系的主要物理特性以及重要的理论分析,对理论研究结果进行了简单的讨论。

硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响

针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下,观察到了薄膜的弱局域效应(weak localization, WL),且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应,得到相位相干长度的值,解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性,从而为红外探测器件的开发提供了有价值的参考。