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扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路
被引量:
1
1
作者
郭清
朱大中
姚韵若
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期91-95,共5页
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测...
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T。
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关键词
互补金属氧化物半导体
磁敏传感器
分裂漏磁敏晶体管
相关二次取样
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职称材料
题名
扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路
被引量:
1
1
作者
郭清
朱大中
姚韵若
机构
浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期91-95,共5页
基金
国家自然科学基金(NSFC):90307009
文摘
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T。
关键词
互补金属氧化物半导体
磁敏传感器
分裂漏磁敏晶体管
相关二次取样
Keywords
CMOS
magnetic sensor
split-drain MAGFET
CDS
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路
郭清
朱大中
姚韵若
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
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