非晶Ag_(11)In_(12)Te_(26)Sb_(51)薄膜的结晶行为

采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶,利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为.结果表明,非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210℃,熔化温度为481.7℃,结晶活化能 Ea=2.07eV/atom;Ag11In12Te26Sb51膜的结晶动力学遵循成核和生长机理;在激光致相变过程中可能出现的晶相有AgSbTe2、AgInTe2、Sb和Ag2Te等相;Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.

Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究

用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.

聚焦脉冲激光作用下Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化过程及机理

采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.