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非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
1
作者
闫勇
张艳霞
+5 位作者
李莎莎
晏传鹏
刘连
张勇
赵勇
余洲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期2902-2905,2911,共5页
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150~350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下...
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150~350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
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关键词
退火温度
射频磁控溅射
CIGS薄膜
相变历程
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职称材料
题名
非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
1
作者
闫勇
张艳霞
李莎莎
晏传鹏
刘连
张勇
赵勇
余洲
机构
西南交通大学超导与新能源研究开发中心
西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室
新南威尔士大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期2902-2905,2911,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50588201
50872116)
+6 种基金
国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项资助项目(2011GB112001)
四川省基金资助项目(2011JY0031
2011JY0130)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU12CX016
SWJTU11ZT16
SWJTU11ZT31
SWJTU11BR185)
文摘
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150~350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
关键词
退火温度
射频磁控溅射
CIGS薄膜
相变历程
Keywords
annealing temperature
RF magnetron sputtering
CIGS thin films
synthesis pathways
分类号
O782 [理学—晶体学]
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
闫勇
张艳霞
李莎莎
晏传鹏
刘连
张勇
赵勇
余洲
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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