相变记录介质GaSb薄膜的光学性质、微观结构及其记录性质

本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α_0=0.6095nm,相变后薄膜的吸收减小,GaSb薄膜的光能隙由0.7eV升高为0.94eV.用精密四探针法测量了GaSb薄膜电阻随温度变化的过程.给出了GaSb薄膜的一次写入记录特性,研究了光致晶化记录畴的微结构.

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质的热力学参数、微观结构及光学性能

利用DSC,X射线衍射及分光光度计,对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质的热力学参数、非晶态薄膜相变前后结构的变化及光学性能进行了系统的研究,结果表明:Sb—Se系非晶态的光稳定性很不理想,随着彼长的改变,反射率变化太快。对于Ge—Sb—Te系的两种成分合金,在各种波段处都有较大的反衬度,其非晶态的光稳定性也比较理想,随着波长的改变,反射率变化不大。

相变光盘记录介质材料及其特性

光盘信息存储材料及其相关材料是计算机或信息工业发展的先导技术之一，目前光盘技术发展十分迅速、是信息工业中最为活跃的领域之一光盘可大致分成三个最基本的系列、即只读光盘，一次写入光盘和可擦重写光盘可擦重写光盘由于能对已写入文件进行改写、因此比前两类光盘具有更大灵活性。

Super-RENS超分辨光存储实验研究

实验在基于传统相变光盘(CD R/W)的测试系统上进行。在一定的写入功率和脉宽条件下对su per RENS样片进行静态记录,并和传统CD R/W作对比实验,用扫描电镜(SEM)观察两种盘结构上的记录点,从微观形貌、尺寸参数等方面进行深入研究比较。实验结果表明,使用相同的记录系统和在完全相同的写入条件下,super RENS上的记录符小于CD R/W上的记录符,尺寸减小可达40%。