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双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟
被引量:
2
1
作者
郭红霞
陈雨生
+6 位作者
张义门
周辉
吴国荣
林东升
韩福斌
关颖
龚建成
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期47-51,共5页
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂...
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
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关键词
双层膜结构
剂量
增强
粒子输运模拟
相对增强因子
相对
测量法
平衡剂量
CMOS器件
X射线
半导体器件
辐射效应
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职称材料
题名
双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟
被引量:
2
1
作者
郭红霞
陈雨生
张义门
周辉
吴国荣
林东升
韩福斌
关颖
龚建成
机构
西北核技术研究所
西安电子科技大学微电子所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期47-51,共5页
文摘
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
关键词
双层膜结构
剂量
增强
粒子输运模拟
相对增强因子
相对
测量法
平衡剂量
CMOS器件
X射线
半导体器件
辐射效应
Keywords
bi laminate structure
dose enhancement
simulation of particle transportation
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟
郭红霞
陈雨生
张义门
周辉
吴国荣
林东升
韩福斌
关颖
龚建成
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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