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双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟 被引量:2
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作者 郭红霞 陈雨生 +6 位作者 张义门 周辉 吴国荣 林东升 韩福斌 关颖 龚建成 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期47-51,共5页
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂... 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。 展开更多
关键词 双层膜结构 剂量增强 粒子输运模拟 相对增强因子 相对测量法 平衡剂量 CMOS器件 X射线 半导体器件 辐射效应
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